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1. (WO2002025743) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE ET CELLULE SOLAIRE FABRIQUEE SELON LEDIT PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/025743    N° de la demande internationale :    PCT/DE2001/003535
Date de publication : 28.03.2002 Date de dépôt international : 13.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.03.2002    
CIB :
H01L 31/04 (2006.01), H01L 31/00 (2006.01), H01L 31/0216 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITÄT KONSTANZ [DE/DE]; Universitätsstrasse 10, 78464 Konstanz (DE) (Tous Sauf US).
FATH, Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KRESS, André [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : FATH, Peter; (DE).
KRESS, André; (DE)
Mandataire : RACKETTE; Kaiser-Joseph-Strasse 179, Postfach 13 10, 79013 Freiburg (DE)
Données relatives à la priorité :
100 47 556.6 22.09.2000 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLE UND NACH DIESEM VERFAHREN HERGESTELLTE SOLARZELLE
(EN) METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL AND A SOLAR CELL PRODUCED ACCORDING TO SAID METHOD
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE ET CELLULE SOLAIRE FABRIQUEE SELON LEDIT PROCEDE
Abrégé : front page image
(DE)Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, daß sowohl bei konventionellen als auch bei neuartigen kristallinen Siliziumsolarzellen das Problem der elektrischen Isolation p- und n-leitender Dotierschichten auftritt. Mit der vorliegenden Erfindung wird dies in einfacher und eleganter Art und Weise gelöst. Auf zumindest einer Seite des Siliziumsubstrates wird lokal eine Maskierpaste aufgebracht und anschließend getrocknet. In Folge wird eine Dotierstoffdiffusion durchgeführt wobei der Leitungstyp des Dotierstoffes entgegengesetzt zu der der Grunddotierung des kristallinen Siliziumsubstrates ist. In einem der folgenden Herstellungsschritte der Solarzelle werden die elektrischen Kontakte so aufgebracht, daß zumindest ein Teil der Kontakte durch die Maskierpaste elektrisch von Rest der Kontakte getrennt wird. Die Maskierpaste erlaubt also eine elektrische Trennung der beiden externen Kontakte einer Solarzelle indem die Eindiffusion eines Dotierstoffes durch ebendiese Paste verhindert wird. Andere Verfahren, die zum Ergebnis führen sind wesentlich komplizierter und teurer in der Anwendung.
(EN)The problem posed by both conventional and novel crystalline silicon solar cells is the electrical isolation of layers doped with p and n conductivity types. The invention solves said problem in a simple and elegant manner. A masking paste is applied locally to at least one side of the silicon substrate and is subsequently dried. A doping material diffusion is then carried out, whereby the conductivity type of the doping material is in opposition to that of the base doping of the crystalline silicon substrate. In one of the subsequent production steps of the solar cell, the electric contacts are applied in such a way that at least one section of said contacts is isolated electrically from the rest of the contact by the masking paste. The masking paste thus allows an electrical isolation of the two external contacts of a solar cell by preventing the diffusion of one doping material using said paste. Other methods that achieve the same results are substantially more complex and expensive to use.
(FR)Le problème posé par les cellules solaires au silicium cristallin tant classiques que nouvelles est l'isolation électrique des couches dopées à conduction de type p et à conduction de type n. La présente invention résout ce problème d'une manière simple et élégante. A cet effet, une pâte de masquage est appliquée localement sur au moins une face du substrat en silicium, puis séchée. Ensuite une diffusion de la matière de dopage est réalisée, le type de conduction de la matière de dopage étant opposé à celui du dopage de base du substrat en silicium cristallin. Au cours de l'une des étapes de fabrication suivantes de la cellule solaire, les contacts électriques sont appliqués de manière telle qu'au moins une partie des contacts est séparée électriquement par la pâte de masquage du reste des contacts. La pâte de masquage permet ainsi une séparation électrique des deux contacts externes d'une cellule solaire du fait que la diffusion d'une matière de dopage est empêchée par ladite pâte. Les autres procédés qui permettent d'obtenir les mêmes résultats sont considérablement plus compliqués et leur utilisation est plus onéreuse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)