WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002025739) TRANSISTOR EN MINCE COUCHE AINSI QU'UN AFFICHEUR A CRISTAUX LIQUIDES ET UN AFFICHEUR ELECTROLUMINESCENT CONTENANT CE TRANSISTOR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/025739    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/008218
Date de publication : 28.03.2002 Date de dépôt international : 21.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.04.2002    
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO.,LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza-Kadoma Kadoma-shi, Osaka 571-8501 (JP) (Tous Sauf US).
IKUTA, Shigeo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWAKITA, Tetsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IZUCHI, Masumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IKUTA, Shigeo; (JP).
KAWAKITA, Tetsuo; (JP).
IZUCHI, Masumi; (JP)
Mandataire : OHMAE, Kaname; 3F, Lions Bldg. Ohtemae 2-3-14, Uchihiranomachi Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 540-0037 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-286717 21.09.2000 JP
Titre (EN) THIN-FILM TRANSISTOR, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY WHICH COMPRISE IT
(FR) TRANSISTOR EN MINCE COUCHE AINSI QU'UN AFFICHEUR A CRISTAUX LIQUIDES ET UN AFFICHEUR ELECTROLUMINESCENT CONTENANT CE TRANSISTOR
Abrégé : front page image
(EN)A thin-film transistor of high reliability free of instability factors such as variation in threshold voltage and fluctuation in threshold voltage during a test of high-temperature voltage impressing. A thin-film transistor (10) comprises a semiconductor thin film (13) having a channel region (13a) and source and drain regions (13b, 13c) formed on both sides of the channel region (13a), a gate insulation film (14) formed on the semiconductor thin film (13), and a gate electrode (15) formed at a position which corresponds to the channel region (13a) on the gate insulation film (14). This transistor is characterized in that the concentration of each of the dopants existent at the interface between the semiconductor thin film (13) and the gate insulation film (14) is 3 x 10?11¿atoms/cm?2¿ or less.
(FR)L'invention concerne un transistor en mince couche dépourvu, avec une grande fiabilité, de facteurs d'instabilité tels que la variation de la tension de seuil et la fluctuation de la tension de seuil pendant un test d'impression. Un transistor en mince couche (10) comprend un mince film semi-conducteur (13) ayant une zone canal (13a) et une des zones source et drain (13b, 13c) formées de part et d'autre de la zone canal (13a), un film isolant grille (14) appliqué sur le mince film semi-conducteur (13), et une électrode de commande (15) formée à un emplacement correspondant à la zone canal (13a) sur le film isolant de grille (14). Ce transistor est caractérisé en ce que la concentration de chaque dopant existant à l'interface entre le mince film semi-conducteur (13) et le film isolant grille (14) est de 3 x 10?11¿ atomes/cm?2¿ maximum.
États désignés : CN, KR, SG, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)