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1. (WO2002024982) PROCEDE PERMETTANT DE PRODUIRE UNE PLAQUE MINCE DE CRISTAL, ET PILE SOLAIRE COMPRENANT UNE TELLE PLAQUE MINCE DE CRISTAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/024982    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/006760
Date de publication : 28.03.2002 Date de dépôt international : 06.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.02.2002    
CIB :
C30B 19/00 (2006.01), C30B 19/08 (2006.01), C30B 19/12 (2006.01), H01L 21/208 (2006.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku Osaka-shi, Osaka 545-0013 (JP) (Tous Sauf US).
GOMA, Shuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TSUKUDA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YANO, Kohzaburoh [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANIGUTI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : GOMA, Shuji; (JP).
TSUKUDA, Yoshihiro; (JP).
YANO, Kohzaburoh; (JP).
TANIGUTI, Hiroshi; (JP)
Mandataire : NOGAWA, Shintaro; MINAMIMORIMACHI PARK BLDG., 1-3, Nishitenma 5-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 530-0047 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-283036 19.09.2000 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING CRYSTAL THIN PLATE AND SOLAR CELL COMPRISING CRYSTAL THIN PLATE
(FR) PROCEDE PERMETTANT DE PRODUIRE UNE PLAQUE MINCE DE CRISTAL, ET PILE SOLAIRE COMPRENANT UNE TELLE PLAQUE MINCE DE CRISTAL
Abrégé : front page image
(EN)Conventionally, it has been necessary to vary the cooling capacity to control the temperature of the growth face when a crystal thin film is grown, and it has been difficult to greatly vary the rate of flow of cooling water in the case of water cooling. Therefore the system needs to be of large scale and the production cost is high if the rate of flow of cooling gas is greatly varied in the case of gas cooling. According to the invention, the problems are thoroughly solved, and the control of the temperature of the surface from which a crystal thin plate is grown is easily performed, thus producing a crystal thin plate at low cost. Specifically, a multilayer structure base composed of at least two layers one of which is made of a material having a heat conductivity different from that of the material of the other layer is brought into contact with a fusion of a substance from which a crystal containing at least either a metallic material or a semiconductor material can be formed, and the temperature of the base is controlled so as to grow a crystal of a material from which the crystal can be formed on the base, thereby producing a crystal thin plate.
(FR)Habituellement, il était nécessaire de faire varier la capacité de refroidissement pour réguler la température de la face de croissance lors de la croissance d'une couche mince de cristal, et il était difficile de faire varier dans des proportions importantes le débit de refroidissement, lors d'un refroidissement par eau. Pour cette raison, le système utilisé doit être d'une grande taille et les coûts de production sont élevés si le débit de gaz de refroidissement varie dans de grandes proportions, quand le refroidissement se fait à l'aide d'un gaz. Selon l'invention, ces problèmes sont complètement résolus et la régulation de la température de la surface à partir de laquelle une plaque mince de cristal est formée est facilement réalisée, ce qui permet d'obtenir une plaque mince de cristal à faibles coûts. De façon spécifique, une base structurale multicouche, comprenant deux couches dont l'une est constituée d'un matériau présentant une thermoconductivité différente de celle du matériau constituant l'autre couche, est mise en contact avec une substance en fusion à partir de laquelle un cristal contenant au moins un matériau métallique ou un matériau semi-conducteur peut être formé, et la température de la base est régulée de façon à permettre la croissance d'un cristal à partir d'un matériau permettant sa formation sur la base, ce qui permet d'obtenir une plaque mince de cristal.
États désignés : AU, BR, CN, HR, HU, IN, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)