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1. (WO2002023638) DIODE POLARISEE EN SPIN A ADRESSAGE OPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/023638    N° de la demande internationale :    PCT/GB2001/004088
Date de publication : 21.03.2002 Date de dépôt international : 12.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.04.2002    
CIB :
H01L 31/00 (2006.01), H01L 31/112 (2006.01), H01L 43/00 (2006.01)
Déposants : CAMBRIDGE UNIVERSITY TECHNICAL SERVICES LTD [GB/GB]; The Old Schools Trinity Lane Cambridge CB2 1TS (GB) (Tous Sauf US).
BLAND, James, Anthony, Charles [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
HIROHATA, Atsufumi [JP/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : BLAND, James, Anthony, Charles; (GB).
HIROHATA, Atsufumi; (GB)
Mandataire : GILL JENNINGS & EVERY; Broadgate House 7 Eldon Street London EC2M 7LH (GB)
Données relatives à la priorité :
0022328.9 12.09.2000 GB
Titre (EN) AN OPTICALLY ADDRESSED SPIN-POLARISED DIODE
(FR) DIODE POLARISEE EN SPIN A ADRESSAGE OPTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)There is provided a spin polarised diode structure including a semiconductor substrate; and at least one ferromagnetic layer. The diode structure is illuminated with circularly polarised light which stimulates a spin polarised current to flow from the semiconductor into the ferromagnetic layers. The magnitude of the spin polarised current is dependent upon the direction of magnetisation of the ferromagnetic layers relative to the helicity of the illuminating light. In multi ferromagnetic layer structures each ferromagnetic layer is separated from the next by a thin layer of electrically conductive non-magnetic material. The direction of magnetisation of each of the ferromagnetic layers can be independently controlled by the application of an external magnetic field. The spin polarised diode structure could be used as memory elements, read heads, magnetic field sensors or as switches.
(FR)L'invention concerne une structure de diode polarisée en spin comportant un substrat semi-conducteur ; et au moins une couche ferromagnétique. La structure de diode est éclairée par une lumière à polarisation circulaire qui stimule un courant polarisé en spin pour qu'il s'écoule du semi-conducteur vers les couches ferromagnétiques. L'intensité du courant polarisé en spin dépend de la direction de magnétisation des couches ferromagnétiques par rapport à l'hélicité de la lumière d'éclairage. Dans des structures multicouches ferromagnétiques, chaque couche ferromagnétique est séparée de la suivante par une fine couche de matériau électriquement conducteur non-magnétique. La direction de magnétisation de chacune des couches ferromagnétiques peut être commandée indépendamment par l'application d'un champ magnétique externe. La structure de diode polarisée en spin peut être utilisée comme éléments de mémoire, têtes de lecture, capteurs de champ magnétique ou comme interrupteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)