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1. (WO2002023634) EMETTEUR RECEPTEUR CMOS A AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE INTEGRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/023634    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/028678
Date de publication : 21.03.2002 Date de dépôt international : 14.09.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.03.2002    
CIB :
H01L 23/66 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H03F 1/22 (2006.01), H03F 3/45 (2006.01), H04B 1/04 (2006.01)
Déposants : ATHEROS COMMUNICATIONS, INC. [US/US]; 529 Almanor Avenue Sunnyvale, CA 94085 (US)
Inventeurs : WEBER, David, J.; (US).
YUE, Patrick; (US).
SU, David; (US)
Mandataire : JAKOPIN, David, A.; Pillsbury Winthrop LLP 1600 Tysons Boulevard McLean, VA 22102 (US)
Données relatives à la priorité :
09/663,101 15.09.2000 US
Titre (EN) CMOS TRANSCEIVER HAVING AN INTEGRATED POWER AMPLIFIER
(FR) EMETTEUR RECEPTEUR CMOS A AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE INTEGRE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a breakdown resistant transistor structure for amplifying communication signals. This structure includes a first NMOS transistor having a source connected to ground and a first gate for receiving the input radio frequency signal. The first gate is disposed above a first insulator and the first NMOS transistor having a first transconductance and a first breakdown voltage associated therewith. Also included is a second NMOS transistor having a source connected to the drain of the first NMOS transistor, a gate connected to reference DC voltage, and a drain that provides the output for the amplified radio signal, the load being disposed between the reference DC voltage and the drain of the second NMOS transistor. The second gate is disposed above a second insulator, the second NMOS transistor has a second transconductance and a second breakdown voltage associated therewith, and the second insulatory may be thicker than the first insulator. This results in the first transconductance being greater than the second transconductance, and the second breakdown voltage being greater than the first breakdown voltage.
(FR)Cette invention a trait à une structure à transistors, résistant au claquage, permettant d'amplifier des signaux de communication. Cette structure comporte un premier transistor à canal N dont une source est reliée à la terre, ce transistor étant pourvu d'une première grille destinée à recevoir un signal radiofréquence en entrée. Cette première grille se trouve au-dessus d'un premier isolant, le premier transistor à canal N, ayant une première transconductance et une première tension de claquage associées. Cette structure comporte également un second transistor à canal N ayant une source connectée au drain du premier, une grille connectée à une tension courant continu de référence et un drain assurant la sortie du signal radio amplifié, la charge se trouvant entre la tension courant continu de référence et le drain du second transistor à canal N. Cette seconde grille se trouve au-dessus d'un second isolant. Le second transistor à canal N a une seconde transconductance et une seconde tension de claquage associée, le second isolant pouvant être plus épais que le premier. Cet agencement fait que la première transconductance est supérieure à la seconde et que la seconde tension de claquage est supérieure à la première.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)