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1. (WO2002023586) APPAREIL POUR GRAVER DES METAUX NOBLES PAR IMPLANTATION IONIQUE ET SON PROCEDE D'UTILISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/023586    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/028440
Date de publication : 21.03.2002 Date de dépôt international : 13.09.2001
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP. [US/US]; 1730 North First Street San Jose, CA 95112-4508 (US).
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US)
Inventeurs : ATHAVALE, Satish; (US).
LEE, Brian; (US).
LEE, Heon; (US).
LEE, Kilho; (US).
LIMB, Young; (US).
PARK, Young Jin; (US).
SIM, Jai-hoon; (US)
Mandataire : BRADEN, Stanton, C.; Siemens Corporation Intellectual Property Dept. 186 Wood Avenue South Iselin, NJ 08830 (US)
Données relatives à la priorité :
09/660,679 13.09.2000 US
Titre (EN) APPARATUS FOR ETCHING NOBLE METALS USING ION IMPLANTATION AND METHOD OF USE
(FR) APPAREIL POUR GRAVER DES METAUX NOBLES PAR IMPLANTATION IONIQUE ET SON PROCEDE D'UTILISATION
Abrégé : front page image
(EN)Apparatus for etching a patterned layer of a noble metal such as platinum. The apparatus implements a process whereby exposed areas of the noble metal are first implanted with ions and are subsequently etched. Both the ion implantation step and the etching step occur sequentially in the same chamber in the presence of a plasma discharge. The apparatus uses either a dual output power supply or two distinct power supplies to sequentially supply a high power output required for the ion implantation step and a low power output required for the etching step. Multiple cycles of implantation followed by etching may be applied to achieve deep etching of thick layers. A programmed computer controls the process steps. A method of using the apparatus is also provided.
(FR)L'invention porte sur un appareil permettant de graver une couche à motif d'un métal noble tel que le platine. L'appareil permet de réaliser un procédé dans lequel des zones exposées du métal noble subissent d'abord une implantation ionique et ensuite gravées. L'étape d'implantation ionique et l'étape de gravure sont réalisées séquentiellement dans la même chambre en présence d'une décharge de plasma. L'appareil utilise soit une alimentation électrique à double sortie, soit deux alimentations électriques distinctes afin d'alimenter séquentiellement une sortie haute puissance requise pour l'étape d'implantation ionique et une sortie faible puissance requise pour l'étape de gravure. Plusieurs cycles d'implantation peuvent être appliqués pour réaliser des gravures profondes dans des couches épaisses. Un ordinateur programmé commande les étapes de traitement. L'invention porte également sur un procédé d'utilisation de cet appareil.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)