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1. (WO2002021603) DISPOSITIF DE MULTIPLICATION COMPRENANT UN FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE A DISPERSION DE RESINE ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/021603    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/002378
Date de publication : 14.03.2002 Date de dépôt international : 23.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.04.2001    
CIB :
C09K 11/06 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 31/09 (2006.01), H01L 31/14 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01), H05B 33/10 (2006.01), H05B 33/12 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01), H05B 33/22 (2006.01)
Déposants : JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CORPORATION [JP/JP]; 1-8, Hon-cho 4-chome Kawaguchi-shi, Saitama 332-0012 (JP) (Tous Sauf US).
YOKOYAMA, Masaaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAYAMA, Ken-ichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIRAMOTO, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YOKOYAMA, Masaaki; (JP).
NAKAYAMA, Ken-ichi; (JP).
HIRAMOTO, Masahiro; (JP)
Mandataire : NOGUCHI, Shigeo; Rapport Nanba Bldg. 9F 8-1, Motomachi 2-chome, Naniwa-ku Osaka-shi, Osaka 556-0016 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-265224 01.09.2000 JP
Titre (EN) MULTIPLICATION DEVICE COMPRISING RESIN-DISPERSED ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE MULTIPLICATION COMPRENANT UN FILM SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE A DISPERSION DE RESINE ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Abrégé : front page image
(EN)A resin-dispersed organic semiconductor layer (3) is formed on a lower electrode (2) of an ITO transparent electrode formed on a glass substrate (1). An upper electrode (4) of a gold deposited film is formed on the resin-dispersed organic semiconductor layer (3). The resin-dispersed organic semiconductor layer (3) is formed by spin-coating a dispersion prepared by mixing a perylene pigment and polycarbonate in a THF solvent and drying the coating. By applying a voltage by means of the electrodes (2, 4) and irradiating the resin-dispersed organic semiconductor layer (3) with light, a multiplied light-irradiation induced current flows.
(FR)La présente invention concerne un film (3) semi-conducteur organique à dispersion de résine formé sur une électrode inférieure (2) d'une électrode transparente ITO ménagée sur un substrat en verre (1). Une électrode supérieure (4) composée d'un film d'or déposé est formée sur le film semi-conducteur (3) organique à dispersion de résine. Ce film (3) est formé par application par centrifugation d'une dispersion préparée en mélangeant un pigment pérylène et un polycarbonate dans un solvant THF et en séchant le revêtement. L'application d'une tension par des électrodes (2, 4) et l'insolation du film (3) semi-conducteur organique à dispersion de résine à l'aide de la lumière permettent la circulation d'un courant induit par rayonnement lumineux multiplié.
États désignés : CA, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)