WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002021600) ELEMENT DE COMMUTATION A CANAL COURT ET PROCEDE PERMETTANT DE PRODUIRE CET ELEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

demande internationale considérée comme retirée 2003-01-23 00:00:00.0


N° de publication :    WO/2002/021600    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/007088
Date de publication : 14.03.2002 Date de dépôt international : 17.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.02.2002    
CIB :
H01L 21/335 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CORPORATION [JP/JP]; 1-8, Hon-cho 4-chome Kawaguchi-shi, Saitama 332-0012 (JP) (Tous Sauf US).
ODA, Shunri [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIGUCHI, Katsuhiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : ODA, Shunri; (JP).
NISHIGUCHI, Katsuhiko; (JP)
Mandataire : HIRAYAMA, Kazuyuki; 6th Floor, Shinjukugyoen Bldg. 3-10, Shinjuku 2-chome Shinjuku-ku, Tokyo 160-0022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-265680 01.09.2000 JP
Titre (EN) SHORT-CHANNEL SWITCHING ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) ELEMENT DE COMMUTATION A CANAL COURT ET PROCEDE PERMETTANT DE PRODUIRE CET ELEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A short-channel switching element operating according to an operating principal not causing the short-channel effect. The short-channel switching element comprises an insulating layer (11), a source (13) formed on the insulating layer (11), a drain (14) formed on the insulating layer (11) opposed to the source (13) with a small spacing (12) having a length of 20nm, silicon quantum dots (15) deposited in the small spacing (12), having a grain size of below 10nm, and serving as a channel, a second insulating layer (16) formed over the source, drain, and small spacing (12), and a gate (17) formed on the second insulating layer in the region corresponding to the small spacing. A method for manufacturing such a short-channel switching element is also disclosed.
(FR)L'invention concerne un élément de commutation à canal court fonctionnant selon un principe permettant de ne pas produire d'effet de canal court. Cet élément commutateur à canal court comprend une couche (11) isolante, une source (13) formée sur cette couche (11) isolante, un drain (14) formé sur la couche (11) isolante, opposé à la source et séparé de celle-ci par un espace (12) réduit d'une longueur inférieure à 20 nm, des points (15) quantiques de silicium déposés dans cet espace (12) réduit, et une grille (17) formée sur la seconde couche isolante dans la région correspondant à cet espace réduit. L'invention concerne également un procédé permettant de produire un tel élément de commutation à canal court.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)