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1. (WO2002019440) ENCAPSULANTS POUR DISPOSITIFS TRANSISTORISES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/019440    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/040953
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 13.06.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.03.2002    
CIB :
C08G 59/68 (2006.01), C08L 63/00 (2006.01), H01L 33/56 (2010.01), H01L 23/29 (2006.01), H01L 33/60 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01)
Déposants : GENERAL ELECTRIC COMPANY [US/US]; 1 River Road Schenectady, NY 12345 (US)
Inventeurs : YEAGER, Gary, William; (US).
RUBINSZTAJN, Malgorzata, Iwona; (US)
Mandataire : SNYDER, Bernard; General Electric Company 3135 Easton Turnpike W3C Fairfield, CT 06431 (US)
Données relatives à la priorité :
09/654,830 01.09.2000 US
Titre (EN) ENCAPSULANTS FOR SOLID STATE DEVICES
(FR) ENCAPSULANTS POUR DISPOSITIFS TRANSISTORISES
Abrégé : front page image
(EN)A packaged solid state device having a package, a chip (4), and an encapsulate having an epoxy resin, a boron containing catalyst that is essentially free of halogen. A LED (1, 2, 3) device having a package, a LED chip (4), a encapsulate having a cycloaliphatic epoxy resin and a boroxine catalyst essentially free of halogen. A method of encapsulating a solid state device whereby a solid state device is placed into a package, and an encapsulant comprising an epoxy resin, and a boron containing catalyst that is essentially free of halogen, are provided.
(FR)L'invention concerne un dispositif transistorisé encapsulé comportant une capsule, une puce (4) et un composant encapsulé comprenant une résine époxy, un catalyseur contenant du bore qui est sensiblement dépourvu d'halogène. L'invention concerne également un dispositif à diode électroluminescente (1, 2, 3) comprenant un boîtier, une puce de diode électroluminescente (4), un composant encapsulé comprenant une résine époxy cycloaliphatique et un catalyseur de boroxine sensiblement dépourvu d'halogène. L'invention concerne également un procédé d'encapsulation d'un dispositif transistorisé qui consiste à placer un dispositif transistorisé dans un boîtier. L'invention concerne en outre un encapsulant comprenant une résine époxy et un catalyseur contenant du bore qui est sensiblement dépourvu d'halogène.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)