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1. (WO2002019407) PROCEDE DE DISTRIBUTION SPATIALE DE GROUPES CHIMIQUES SUR UNE SURFACE DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/019407    N° de la demande internationale :    PCT/CA2001/001232
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 30.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.03.2002    
CIB :
G01N 33/543 (2006.01), G01N 33/553 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA [CA/CA]; 1200 Montreal Road, Ottawa, Ontario K1A 0R6 (CA) (Tous Sauf US).
WAYNER, Danial, D.M. [CA/CA]; (CA) (US Seulement).
WOJTYK, James, T.C. [CA/CA]; (CA) (US Seulement).
BOUKHERROUB, Rabah [CA/CA]; (CA) (US Seulement).
TOMIETTO, Mauro [CA/CA]; (CA) (US Seulement)
Inventeurs : WAYNER, Danial, D.M.; (CA).
WOJTYK, James, T.C.; (CA).
BOUKHERROUB, Rabah; (CA).
TOMIETTO, Mauro; (CA)
Mandataire : GALE, Edwin, J.; Kirby Eades Gale Baker, Box 3432, Station D, Ottawa, Ontario K1P 6N9 (CA)
Données relatives à la priorité :
60/228,770 30.08.2000 US
60/244,929 02.11.2000 US
Titre (EN) A METHOD FOR SPATIAL DISTRIBUTION OF CHEMICAL GROUPS ON A SEMICONDUCTOR SURFACE
(FR) PROCEDE DE DISTRIBUTION SPATIALE DE GROUPES CHIMIQUES SUR UNE SURFACE DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides an improved method for the patterning of silicon surfaces. The methods encompass the use of photoinitiation to deliberately oxide specific regions of a silicon surface, followed by differential modification of the oxidized and non-oxidized portions. In this way, the moieties can be arranged on a silicon surface with accurate spatial organization.
(FR)L'invention concerne un procédé amélioré de moirage de surfaces en silicium. Les procédés consistent notamment à utiliser le photoamorçage pour oxyder des zones spécifiques d'une surface en silicium, suivi de modification différentielle des parties oxydées et non oxydées. Ainsi, il est possible de disposer des fractions chimiques sur une surface en silicium suivant une organisation spatiale précise.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)