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1. (WO2002019366) APPAREIL DE DEPOT ASSISTE PAR FAISCEAU D'IONS A CATHODE FROIDE AVEC SEPARATION DE COURANTS GAZEUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/019366    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/026588
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 27.08.2001
CIB :
C23C 14/22 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/513 (2006.01), H01J 37/08 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : GUARDIAN INDUSTRIES CORPORATION [US/US]; 2300 Harmon Road Auburn Hills, MI 48326-1714 (US) (Tous Sauf US).
PETRMICHL, Rudolph, H. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PETRMICHL, Rudolph, H.; (US)
Mandataire : RHOA, Joseph, A.; Nixon & Vanderhye P.C. Suite 800 1100 North Glebe Road Arlington, VA 22201-4714 (US)
Données relatives à la priorité :
09/649,010 28.08.2000 US
Titre (EN) COLD CATHODE ION BEAM DEPOSITION APPARATUS WITH SEGREGATED GAS FLOW
(FR) APPAREIL DE DEPOT ASSISTE PAR FAISCEAU D'IONS A CATHODE FROIDE AVEC SEPARATION DE COURANTS GAZEUX
Abrégé : front page image
(EN)A cold cathode closed drift ion source is provided with segregated gas flow. The first gas may be caused to flow through or along a path around a peripheral portion of the anode so as to pass through the electric gap between the anode and cathode. A second gas (different form the first gas) may be caused to flow toward the ion emitting slit, without much of the second gas having to pass through the electric gap(s). It if is desired to utilize a gas which produces insulative material (e.g., an organosilicon gas), this gas may be used as the second gas. Accordingly, insulative material build-up in the electric gap between the anode and cathode may be reduced, and changes in beam chemistry can be achieved without unduly altering ion beam characteristics.
(FR)L'invention concerne une source d'ions à courant en circuit fermé à cathode froide avec séparation de courants gazeux. Le premier gaz peut être mis en circulation à travers ou le long du circuit situé autour d'une partie périphérique de l'anode, de façon à traverser l'espace électrique situé entre l'anode et la cathode. Un second gaz (différent du premier) peut être mis en circulation en direction de la fente d'émission d'ions, sans qu'une grande partie de ce second gaz ne doive traverser le ou les espaces électriques. Si l'on souhaite utiliser un gaz produisant une matière isolante (un gaz organosilicié, par exemple), ce gaz peut être utilisé comme second gaz. Par conséquent, cet appareil permet de réduire la formation de matière isolante dans l'espace électrique situé entre l'anode et la cathode et d'obtenir des changements dans la composition chimique du faisceau sans altérer indûment les caractéristiques du faisceau d'ions.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)