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1. (WO2002019364) DISPOSITIF ET PROCEDE POUR AMELIORER LA REPARTITION ET L'EFFICACITE PLASMATIQUES DANS UN PLASMA A COUPLAGE INDUCTIF A L'AIDE D'UN ELEMENT INDUCTIF INTERNE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/019364    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/027024
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 30.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.03.2002    
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; TBS Broadcast Center 3-6 Akasaka 5-chome Minato-ku Tokyo 107 (JP).
TOKYO ELECTRON ARIZONA, INC. [US/US]; 2120 W. Guadalupe Road Gilbert, AZ 85233-8205 (US) (JP only)
Inventeurs : BRCKA, Jozef; (US)
Mandataire : FREI, Donald, F.; Wood, Herron & Evans, L.L.P. 2700 Carew Tower Cincinnati, OH 45202 (US).
LLOYD WISE , TREGEAR & CO.; Commonwealth House 1-19 New Oxford Street London WC1A 1LW (GB)
Données relatives à la priorité :
09/650,532 30.08.2000 US
Titre (EN) INDUCTIVELY COUPLED PLASMA USING AN INTERNAL INDUCTIVE ELEMENT
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE POUR AMELIORER LA REPARTITION ET L'EFFICACITE PLASMATIQUES DANS UN PLASMA A COUPLAGE INDUCTIF A L'AIDE D'UN ELEMENT INDUCTIF INTERNE
Abrégé : front page image
(EN)A processing system (12) for processing a substrate with an ionized plasma comprises a processing chamber (13) defining a processing space (14) and including a substrate support (17) therein for supporting a substrate (18) in the processing space. A gas inlet (20) introduces a process gas into said processing space (14) and a plasma source is operable for creating an ionized plasma in the processing space from process gas introduced therein. The plasma source comprises an inductive element (24) operable for coupling electrical energy into the processing space to create an ionized plasma therein. The inductive element (24) winds around a portion of the processing space (14) inside the processing chamber (13) and is encased inside a dielectric material (30) to physically separate the element from the processing space while allowing the element to couple electrical energy into the processing space. Alternatively, the inductive element is coupled to a DC power supply (98) for enhancing the magnetization of the inductive element (24) to reduce the capacitive coupling of energy between the inductive element and the plasma.
(FR)L'invention concerne un système (12) conçu pour traiter un substrat avec un plasma ionisé, qui comprend une chambre (13) de traitement définissant un espace (14) de traitement et comprenant un support (17) destiné à porter un substrat (18) dans l'espace de traitement. On introduit, par un orifice d'admission (20) de gaz, un gaz de traitement dans ledit espace (14) de traitement. On utilise une source de plasma pour produire un plasma ionisé dans ledit espace de traitement à partir du gaz de traitement qui y a été introduit. La source de plasma comprend un élément inductif (24) que l'on utilise pour faire passer l'énergie électrique dans l'espace de traitement afin d'y produire un plasma ionisé. L'élément inductif (24), enroulé autour d'une partie de l'espace (14) de traitement à l'intérieur de la chambre (13) de traitement, est enfermé dans un matériau diélectrique (30) afin de le séparer physiquement de l'espace de traitement, ce qui lui permet de faire passer l'énergie électrique dans ledit espace de traitement. Dans un autre mode de réalisation, l'élément inductif est couplé à un courant CC (98) pour renforcer l'aimantation de cet élément inductif (24), le couplage capacitif de l'énergie entre l'élément inductif et le plasma étant ainsi réduit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)