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1. (WO2002018961) SURVEILLANCE DE LA PUISSANCE ACTIVE EFFECTUEE A L'AIDE DE CAPTEURS DE COURANT SITUES A L'EXTERIEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/018961    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/041882
Date de publication : 07.03.2002 Date de dépôt international : 28.08.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.03.2002    
CIB :
G01R 21/00 (2006.01)
Déposants : DELTA DESIGN, INC. [US/US]; 12367 Crosthwaite Circle Poway, CA 92064 (US)
Inventeurs : TURNER, Jonathan, E.; (US)
Mandataire : BECK, George, C.; Foley & Lardner Washington Harbour Suite 500 3000 K Street, N.W. Washington, DC 20007-5109 (US)
Données relatives à la priorité :
09/649,990 29.08.2000 US
Titre (EN) CONTROLLING OF THE TEMPERATURE OF A DUT USING EXTERNAL CURRENT SENSORS
(FR) SURVEILLANCE DE LA PUISSANCE ACTIVE EFFECTUEE A L'AIDE DE CAPTEURS DE COURANT SITUES A L'EXTERIEUR
Abrégé : front page image
(EN)The power of a device under test (DUT) is monitored without reliance on dedicated current and voltage monitoring signals available from a semiconductor test unit. One or more magneto-resistive current sensors are provided external to, and in between the DUT and a power source. The current sensor(s) provide a detection signal proportional to the current drawn by the device from the power source. A monitoring circuit multiplies the detected current by the core voltage supply to the DUT to obtain a signal representative of the power of the device. The power signal is provided to a control circuit that operates a heat exchanger, such as on active conductive heat exchanger, to adjust the temperature of the device based on the signal representative of the power of the device. In this way the temperature of the DUT can be maintained at or near a constant set point.
(FR)La puissance d'un dispositif soumis à un test (DST) est surveillée sans référence aux signaux de surveillance du courant et de la tension spécifiques fournis par une unité de test d'un dispositif à semi-conducteur. Un ou plusieurs capteurs de courant magnétorésistifs sont placés à l'extérieur du DST et entre ce dernier et une source de puissance. Le ou les capteurs de courant produisent un signal de détection qui est proportionnel au courant soutiré de la source de puissance par le dispositif. Un circuit de surveillance multiplie le courant détecté par l'alimentation en tension principale pour le DST et produit ainsi un signal représentatif de la puissance du dispositif. Le signal de puissance est envoyé à un circuit de commande qui met en fonctionnement un échangeur de chaleur, tel qu'un échangeur de chaleur par conduction active, pour ajuster la température du dispositif sur la base du signal représentant la puissance du dispositif. De cette manière, la température du DST peut être maintenue à une valeur de réglage constante ou à une valeur proche de cette dernière.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PH, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)