WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2002017376) AFFICHAGE DE CRISTAUX LIQUIDES A MATRICE ACTIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2002/017376    N° de la demande internationale :    PCT/EP2001/009613
Date de publication : 28.02.2002 Date de dépôt international : 13.08.2001
CIB :
G02F 1/1362 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : DEANE, Steven, C.; (NL)
Mandataire : WILLIAMSON, Paul, L.; Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
0020631.8 22.08.2000 GB
Titre (EN) ACTIVE-MATRIX LIQUID CRYSTAL DISPLAY
(FR) AFFICHAGE DE CRISTAUX LIQUIDES A MATRICE ACTIVE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming an active plate for a liquid crystal display using bottom gate TFTs. A black mask layer (50,52) is deposited over the patterned source and drain conductor layer before the semiconductor layer is patterned. The black mask layer (50,52) and the part of the semiconductor layer (19) not shielded by the patterned source and drain conductor layer are then patterned using the same pattern, thereby defining a transistor semiconductor body between the patterned gate conductor layer (10) and the patterned source and drain conductor layers (20,22,24) and also defining a patterned black mask layer (50) overlying the semiconductor body (19). In this method, a single mask can be used for patterning the black mask layer and the semiconductor layer defining the transistor body. In this way, no additional masks are required to provide shielding of the transistor body.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'une plaque active destinée à un affichage à cristaux liquides utilisant des transistors à couches minces à grille de fond. Une couche de masque noire (50,52) est déposée sur les couches source et drain configurées avant de réaliser la configuration de la couche semi-conductrice. La couche de masque noire (50,52) et la partie de la couche semi-conductrice (19) non masquée par les couches source et drain configurées sont alors configurées par utilisation de la même configuration, permettant ainsi de définir un corps semi-conducteur transistor entre la couche conductrice de grille configurée (10) et les couches conductrice drain et source configurées (20,22,24) et de définir aussi une couche de masque noire configurée (50) recouvrant le corps semi-conducteur (19). Dans ce procédé, il est possible d'utiliser un masque unique afin de réaliser la configuration de la couche de masque noire et de la couche semi-conductrice définissant le corps du transistor. De cette façon, il n'est pas nécessaire d'utiliser d'autres masques pour masquer le corps du transistor.
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)