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1. (WO2002017376) AFFICHAGE DE CRISTAUX LIQUIDES A MATRICE ACTIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2002/017376 N° de la demande internationale : PCT/EP2001/009613
Date de publication : 28.02.2002 Date de dépôt international : 13.08.2001
CIB :
G02F 1/1362 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01
pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13
basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133
Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136
Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362
Cellules à adressage par une matrice active
1368
dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
Déposants :
KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven, NL
Inventeurs :
DEANE, Steven, C.; NL
Mandataire :
WILLIAMSON, Paul, L.; Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven, NL
Données relatives à la priorité :
0020631.822.08.2000GB
Titre (EN) ACTIVE-MATRIX LIQUID CRYSTAL DISPLAY
(FR) AFFICHAGE DE CRISTAUX LIQUIDES A MATRICE ACTIVE
Abrégé :
(EN) A method of forming an active plate for a liquid crystal display using bottom gate TFTs. A black mask layer (50,52) is deposited over the patterned source and drain conductor layer before the semiconductor layer is patterned. The black mask layer (50,52) and the part of the semiconductor layer (19) not shielded by the patterned source and drain conductor layer are then patterned using the same pattern, thereby defining a transistor semiconductor body between the patterned gate conductor layer (10) and the patterned source and drain conductor layers (20,22,24) and also defining a patterned black mask layer (50) overlying the semiconductor body (19). In this method, a single mask can be used for patterning the black mask layer and the semiconductor layer defining the transistor body. In this way, no additional masks are required to provide shielding of the transistor body.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'une plaque active destinée à un affichage à cristaux liquides utilisant des transistors à couches minces à grille de fond. Une couche de masque noire (50,52) est déposée sur les couches source et drain configurées avant de réaliser la configuration de la couche semi-conductrice. La couche de masque noire (50,52) et la partie de la couche semi-conductrice (19) non masquée par les couches source et drain configurées sont alors configurées par utilisation de la même configuration, permettant ainsi de définir un corps semi-conducteur transistor entre la couche conductrice de grille configurée (10) et les couches conductrice drain et source configurées (20,22,24) et de définir aussi une couche de masque noire configurée (50) recouvrant le corps semi-conducteur (19). Dans ce procédé, il est possible d'utiliser un masque unique afin de réaliser la configuration de la couche de masque noire et de la couche semi-conductrice définissant le corps du transistor. De cette façon, il n'est pas nécessaire d'utiliser d'autres masques pour masquer le corps du transistor.
front page image
États désignés : CN, JP, KR
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)