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1. (WO2001080386) DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES A SEMI-CONDUCTEURS III-V PREPARES A PARTIR D'HETEROSTRUCTURES DE CONFINEMENT SEPAREES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/080386    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/005367
Date de publication : 25.10.2001 Date de dépôt international : 20.02.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.10.2001    
CIB :
H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/32 (2006.01), H01S 5/34 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : MP TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 1500 Sheridan Road Wilmette, IL 60091 (US)
Inventeurs : RAZEGHI, Manijeh; (US)
Mandataire : SHEKLETON, Gerald, T.; Welsh & Katz, Ltd. 22nd floor 120 S. Riverside Plaza Chicago, IL 60606 (US)
Données relatives à la priorité :
09/548,731 13.04.2000 US
Titre (EN) III-V SEMICONDUCTORS SEPARATE CONFINEMENT SUPERLATTICE OPTOELECTRONIC DEVICES
(FR) DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES A SEMI-CONDUCTEURS III-V PREPARES A PARTIR D'HETEROSTRUCTURES DE CONFINEMENT SEPAREES
Abrégé : front page image
(EN)A method for making of an optoelectronic device and the device therefor comprising confinement layers, waveguides and active layers, all of which comprise a superlattice of binary III-V compounds.
(FR)L'invention porte sur un dispositif optoélectronique et sur son procédé de fabrication, ce dispositif comprenant des couches de confinement, des guides d'ondes et des couches actives, tous ayant une hétérostructure de composés binaires III-V.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)