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1. WO2001080386 - DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES A SEMI-CONDUCTEURS III-V PREPARES A PARTIR D'HETEROSTRUCTURES DE CONFINEMENT SEPAREES

Numéro de publication WO/2001/080386
Date de publication 25.10.2001
N° de la demande internationale PCT/US2001/005367
Date du dépôt international 20.02.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 09.10.2001
CIB
H01S 5/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
20Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
30Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
32comprenant des jonctions PN, p.ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/34 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
30Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
34comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique , lasers à plusieurs puits quantiques ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif
H01S 5/343 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
30Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
34comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique , lasers à plusieurs puits quantiques ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif
343dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
CPC
B82Y 20/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
20Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
H01S 2304/025
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
2304Special growth methods for semiconductor lasers
02MBE
025MOMBE
H01S 2304/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
2304Special growth methods for semiconductor lasers
04MOCVD or MOVPE
H01S 2304/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
2304Special growth methods for semiconductor lasers
06LPE
H01S 5/0213
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
0206Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding;
0213Sapphire, quartz or diamond based substrates
H01S 5/2004
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
20Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
2004Confining in the direction perpendicular to the layer structure
Déposants
  • MP TECHNOLOGIES LLC [US]/[US]
Inventeurs
  • RAZEGHI, Manijeh
Mandataires
  • SHEKLETON, Gerald, T.
Données relatives à la priorité
09/548,73113.04.2000US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) III-V SEMICONDUCTORS SEPARATE CONFINEMENT SUPERLATTICE OPTOELECTRONIC DEVICES
(FR) DISPOSITIFS OPTOELECTRONIQUES A SEMI-CONDUCTEURS III-V PREPARES A PARTIR D'HETEROSTRUCTURES DE CONFINEMENT SEPAREES
Abrégé
(EN)
A method for making of an optoelectronic device and the device therefor comprising confinement layers, waveguides and active layers, all of which comprise a superlattice of binary III-V compounds.
(FR)
L'invention porte sur un dispositif optoélectronique et sur son procédé de fabrication, ce dispositif comprenant des couches de confinement, des guides d'ondes et des couches actives, tous ayant une hétérostructure de composés binaires III-V.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international