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1. (WO2001080313) MATERIAU DE PLAQUE DE DISSIPATION THERMIQUE SUR LAQUELLE EST MONTE UN SEMI-CONDUCTEUR, PROCEDE DE FABRICATION ET BOITIER CERAMIQUE OBTENU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2001/080313 N° de la demande internationale : PCT/JP2001/003164
Date de publication : 25.10.2001 Date de dépôt international : 12.04.2001
CIB :
C22C 1/04 (2006.01) ,C22C 27/04 (2006.01) ,C22F 1/08 (2006.01) ,H01L 21/48 (2006.01) ,H01L 23/047 (2006.01) ,H01L 23/373 (2006.01)
Déposants : OSADA, Mitsuo[JP/JP]; JP (UsOnly)
HIRAYAMA, Norio[JP/JP]; JP (UsOnly)
ARIKAWA, Tadashi[JP/JP]; JP (UsOnly)
AMANO, Yoshinari[JP/JP]; JP (UsOnly)
MAESATO, Hidetoshi[JP/JP]; JP (UsOnly)
HAYASHI, Hidehumi[JP/JP]; JP (UsOnly)
MURAI, Hiroshi[JP/JP]; JP (UsOnly)
ALLIED MATERIAL CORPORATION[JP/JP]; 23-5, Kita-Ueno 2-chome Taito-ku, Tokyo 110-0014, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : OSADA, Mitsuo; JP
HIRAYAMA, Norio; JP
ARIKAWA, Tadashi; JP
AMANO, Yoshinari; JP
MAESATO, Hidetoshi; JP
HAYASHI, Hidehumi; JP
MURAI, Hiroshi; JP
Mandataire : GOTO, Yosuke ; The Third Mori Building 4-10, Nishishinbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-0003, JP
Données relatives à la priorité :
2000-11300614.04.2000JP
2000-37240507.12.2000JP
Titre (EN) MATERIAL OF HEAT-DISSIPATING PLATE ON WHICH SEMICONDUCTOR IS MOUNTED, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND CERAMIC PACKAGE PRODUCED BY USING THE SAME
(FR) MATERIAU DE PLAQUE DE DISSIPATION THERMIQUE SUR LAQUELLE EST MONTE UN SEMI-CONDUCTEUR, PROCEDE DE FABRICATION ET BOITIER CERAMIQUE OBTENU
Abrégé : front page image
(EN) A material of a heat-dissipating plate on which a semiconductor is mounted is a copper-molybdenum composite rolled sheet produced by rolling a copper-molybdenum composite body prepared by filling/impregnating the voids among the particles of a molybdenum green compact with molten copper. The coefficient of linear expansion in the direction of the final rolling of the sheet at 30 to 800°C is less than 8.3 $m(x) 10-6/ k. The heat conductivity of the material is better than that of the CMC clad material. The material can be easily machined by blanking press and is used for a heat-dissipating plate (13) of a ceramic package (11).
(FR) L'invention concerne un matériau de plaque de dissipation thermique sur laquelle est monté un semi-conducteur. Ce matériau est formé d'une feuille composite laminée de cuivre-molybdène obtenue par laminage d'un corps composite de cuivre-molybdène obtenu suite au remplissage/imprégnation des espaces vides entre les particules d'une masse compacte verte de molybdène et de cuivre fondu. Le coefficient d'expansion linéaire vers le laminage final de la feuille de 30 à 800 °C est inférieur à 8,3 x 10-6/ k. La conductivité thermique du matériau est meilleure que celle du matériau plaqué de CMC. Le matériau peut être facilement usiné par découpage à la presse et est utilisé dans la fabrication de la plaque (13) de dissipation thermique d'un boîtier céramique (11).
États désignés : US
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)