Traitement en cours

Veuillez attendre...

PATENTSCOPE sera indisponible durant quelques heures pour des raisons de maintenance le samedi 31.10.2020 à 7:00 AM CET
Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2001080305 - DETECTION DES DEFAILLANCES PRECOCES D'ELECTROMIGRATION DANS DES INTERCONNEXIONS SUBMICROMIQUES

Numéro de publication WO/2001/080305
Date de publication 25.10.2001
N° de la demande internationale PCT/US2001/012504
Date du dépôt international 17.04.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 19.11.2001
CIB
G01R 31/28 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
31Dispositions pour tester les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour tests électriques caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs
28Test de circuits électroniques, p.ex. à l'aide d'un traceur de signaux
H01L 23/544 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
544Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p.ex. marques de repérage, schémas de test
CPC
G01R 31/2853
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
2851Testing of integrated circuits [IC]
2853Electrical testing of internal connections or -isolation, e.g. latch-up or chip-to-lead connections
G01R 31/2858
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
2851Testing of integrated circuits [IC]
2855Environmental, reliability or burn-in testing
2856Internal circuit aspects, e.g. built-in test features; Test chips; Measuring material aspects, e.g. electro migration [EM]
2858Measuring of material aspects, e.g. electro-migration [EM], hot carrier injection
G01R 31/2884
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
2851Testing of integrated circuits [IC]
2884using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test
H01L 22/34
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
34Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM [US]/[US]
Inventeurs
  • HO, Paul, S.
  • GALL, Martin
Mandataires
  • Meyertons, Eric, B.
Données relatives à la priorité
60/197,91617.04.2000US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ELECTROMIGRATION EARLY FAILURE DISTRIBUTION IN SUBMICRON INTERCONNECTS
(FR) DETECTION DES DEFAILLANCES PRECOCES D'ELECTROMIGRATION DANS DES INTERCONNEXIONS SUBMICROMIQUES
Abrégé
(EN)
A test structure and a method for detecting early failures in a large ensemble of semiconductor elements, particularly applicable to on-chip interconnects, is provided. A novel approach to gain information about the statistical behavior of several thousand interconnects and to investigate possible deviations from perfect lognormal statistics is presented. A test structure having a Wheatstone Bridge arrangement and arrays of several hundred interconnects may be used to prove that failure data does not deviate from lognormal behavior down to a cumulative failure rate of approximately one out of 20,000. Typical test structure sizes may, therefore, be extended far beyond standard test procedures to gain information about the statistical behavior of failure mechanisms and to verify the validity of the assumption that failure mechanisms follow lognormal statistical behavior.
(FR)
L'invention concerne une structure d'essai et un procédé de détection des défaillances précoces dans un grand ensemble d'éléments de semi-conducteur, applicable notamment aux interconnexions sur la puce. L'invention concerne également une nouvelle approche permettant de réunir des informations sur le comportement statistique de plusieurs milliers d'interconnexions et de rechercher d'éventuelles déviations par rapport aux statistiques log-normales parfaites. On peut utiliser une structure d'essai comportant un montage en pont de Wheatstone et des réseaux de plusieurs centaines d'interconnexions afin de prouver que les données de défaillance ne s'écartent pas du comportement log-normal pour descendre à un taux de défaillance cumulé équivalant à environ un sur 20.000. D'une manière générale, les tailles des structures d'essai peuvent donc aller bien au-delà des procédures d'essai standard afin de réunir des informations concernant le comportement statistique des mécanismes de défaillance et de vérifier la validité de l'hypothèse selon laquelle les mécanismes de défaillance adoptent un comportement statistique log-normal.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international