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1. WO2001078148 - CIRCUIT DE PROTECTION CONTRE LA DECHARGE ELECTROSTATIQUE (ESD)

Numéro de publication WO/2001/078148
Date de publication 18.10.2001
N° de la demande internationale PCT/US2001/010976
Date du dépôt international 04.04.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 09.11.2001
CIB
H01L 27/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
CPC
H01L 27/0248
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
0203Particular design considerations for integrated circuits
0248for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
H01L 27/0266
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
0203Particular design considerations for integrated circuits
0248for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
0251for MOS devices
0266using field effect transistors as protective elements
Déposants
  • MOTOROLA, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • TAKEDA, Fujio
  • MILLER, James, W.
Mandataires
  • GODDARD, Patricia, S.
Données relatives à la priorité
09/546,60110.04.2000US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE PROTECTION CONTRE LA DECHARGE ELECTROSTATIQUE (ESD)
Abrégé
(EN)
An ESD protection circuit (39) coupled to each of a plurality of I/O circuits (30, 32, 36) of an integrated circuit (31) is disclosed. The ESD protection circuit includes a MOSFET transistor (40) to provide primary ESD protection on occurrence of an ESD event. In one embodiment, the control electrode of the MOSFET transistor is coupled to a first buffer circuit (42). Integrated circuit (31) includes a remote trigger circuit (37) coupled to the ESD protection circuits via a trigger bus (47). The individual ESD protection circuits operate in parallel to provide ESD protection to the I/O circuits (30, 32, and 36) upon occurrence of an ESD event.
(FR)
On décrit un circuit de protection ESD (39) qui est couplé à chacun des divers circuits d'entrée/sortie (I/O) (30, 32, 36) d'un circuit intégré (31). Le circuit de protection ESD comprend un transistor MOSFET (40) prévu pour assurer une protection primaire ESD lorsque se produit un événement ESD. Dans une forme de réalisation, l'électrode de commande du transistor MOSFET est couplée à un premier circuit tampon (42). Le circuit intégré (31) comprend un circuit (37) de déclenchement éloigné qui est couplé aux circuits de protection ESD par l'intermédiaire d'un bus (47). Les circuits de protection ESD individuels fonctionnent en parallèle pour assurer une protection ESD aux circuits I/O (30, 32, and 36) lorsqu'un événement ESD se produit.
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