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1. WO2001078119 - STRUCTURE MULTICOUCHE DE CONDENSATEUR A LIGNES CONCENTRIQUES RACCORDEES DE MANIERE ALTERNEE POUR MOS COMPLEMENTAIRE SUBMICRONIQUE PROFOND

Numéro de publication WO/2001/078119
Date de publication 18.10.2001
N° de la demande internationale PCT/EP2001/003684
Date du dépôt international 02.04.2001
CIB
H01L 21/02 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 27/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
08comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
CPC
H01L 27/0805
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
0805Capacitors only
H01L 28/90
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
40Capacitors
60Electrodes
82with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
90having vertical extensions
Déposants
  • KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL]/[NL]
Inventeurs
  • SOWLATI, Tirdad
  • VATHULYA, Vickram
Mandataires
  • DUIJVESTIJN, Adrianus, J.
Données relatives à la priorité
09/546,12510.04.2000US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MULTILAYERED CAPACITOR STRUCTURE WITH ALTERNATELY CONNECTED CONCENTRIC LINES FOR DEEP SUBMICRON CMOS
(FR) STRUCTURE MULTICOUCHE DE CONDENSATEUR A LIGNES CONCENTRIQUES RACCORDEES DE MANIERE ALTERNEE POUR MOS COMPLEMENTAIRE SUBMICRONIQUE PROFOND
Abrégé
(EN)
A capacitor structure having a first and at least a second level of electrically conductive concentric lines of an open-loop configuration. The conductive lines of the at least second level overlie the conductive lines of the first level. A dielectric material is disposed between the first and second levels of conductive lines and between the conductive lines in each of the first and second levels. The conductive lines are electrically connectd in an alternating manner to terminals of opposing polarity so that capacitance is generated between adjacent lines in each level and in adjacent levels. The capacitor especially useful in deep sub-micron CMOS.
(FR)
L'invention porte sur une structure de condensateur possédant un premier niveau et au moins un second niveau de lignes concentriques électroconductrices dans une configuration à boucle ouverte. Les lignes conductrices du second niveau recouvrent les lignes conductrices du premier niveau. Un matériau diélectrique est déposé entre les premier et second niveaux des lignes conductrices et entre les lignes conductrices de chacun des premier et second niveaux. Les lignes conductrices sont raccordées électriquement de manière alternée à des bornes de polarité opposée de façon à générer une capacitance entre des lignes adjacentes de chaque niveau et de niveaux adjacents. Le condensateur est notamment utilisé dans un MOS complémentaire submicronique profond.
Également publié en tant que
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