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1. (WO2001075959) TRANSISTORS A STRUCTURES SOURCE-DRAIN OPTIMISEES ET LEURS PROCEDES DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/075959    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/003269
Date de publication : 11.10.2001 Date de dépôt international : 31.01.2001
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL).
PHILIPS SEMICONDUCTORS, INC. [US/US]; 811 East Arques Avenue Sunnyvale, CA 94088 (US) (MC only)
Inventeurs : SAHA, Samar, K.; (US)
Mandataire : PENILLA, Albert, S.; Marine Penilla & Kim, LLP Suite 170 710 Lakeway Drive Sunnyvale, CA 94085 (US)
Données relatives à la priorité :
09/546,801 04.04.2000 US
Titre (EN) TRANSISTORS HAVING OPTIMIZED SOURCE-DRAIN STRUCTURES AND METHODS FOR MAKING THE SAME
(FR) TRANSISTORS A STRUCTURES SOURCE-DRAIN OPTIMISEES ET LEURS PROCEDES DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A transistor structure having dimensions below about 100 nm is provided. The transistor structure comprises a substrate (100) with a first polarity. The substrate includes a shallow halo implant (108) having the first polarity defined at a first depth within the substrate. The substrate also has a deep halo implant (112) which is the same polarity as the substrate and is defined to a second depth deeper than the first depth of the shallow halo implant. The shallow halo implant and the deep halo implant allow a peak concentration of substrate impurities at a level below the gate such that the resistance of the transistor is minimized along with the threshold voltage, short channel effects and leakage current in the transistor.
(FR)L'invention porte sur une structure de transistor dont les dimensions sont inférieures à environ 100 nm. La structure du transistor comprend (100) un substrat ayant une première polarité. Ce substrat comprend un implant (108) à halo peu profond (108) dont la première polarité est définie à une première profondeur du substrat. Le substrat comporte également un implant (112) à halo profond de même polarité que le substrat et formé à une seconde profondeur plus importante que la première profondeur de l'implant à halo peu profond. L'implant à halo peu profond et l'implant à halo profond permettent une concentration de pointe des impuretés du substrat au dessous de la grille de sorte que la résistance du transistor soit minimisée, ainsi que la tension de seuil, les effets de canal court et de courant de fuite dans le transistor.
États désignés : DE, GB, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)