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1. WO2001075957 - PROCEDE DE PREPARATION D'UN FILM POREUX SOG

Numéro de publication WO/2001/075957
Date de publication 11.10.2001
N° de la demande internationale PCT/JP2001/002885
Date du dépôt international 03.04.2001
CIB
H01L 21/316 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314Couches inorganiques
316composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
H01L 21/768 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
CPC
H01L 21/02126
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
02126the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
H01L 21/02203
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02203the layer being porous
H01L 21/02216
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02205the layer being characterised by the precursor material for deposition
02208the precursor containing a compound comprising Si
02214the compound comprising silicon and oxygen
02216the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
H01L 21/02282
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
0226formation by a deposition process
02282liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
H01L 21/0234
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02296characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
02318post-treatment
02337treatment by exposure to a gas or vapour
0234treatment by exposure to a plasma
H01L 21/02359
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02296characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
02318post-treatment
02359treatment to change the surface groups of the insulating layer
Déposants
  • ULVAC, INC. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • MURAKAMI, Hirohiko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • TANAKA, Chiaki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • HIRAKAWA, Masaaki [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • MURAKAMI, Hirohiko
  • TANAKA, Chiaki
  • HIRAKAWA, Masaaki
Mandataires
  • UCHIAGA, Yohji
Données relatives à la priorité
2000-10147803.04.2000JP
2000-35780824.11.2000JP
2001-04527621.02.2001JP
2001-04672722.02.2001JP
2001-04672822.02.2001JP
2001-04679722.02.2001JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PREPARING POROUS SOG FILM
(FR) PROCEDE DE PREPARATION D'UN FILM POREUX SOG
Abrégé
(EN)
A method for preparing a porous SOG film, characterized in that it comprises providing an organic silane solution containing an organic silane, water and an alcohol, subjecting the organic silane solution to hydrolysis under an acidic or alkaline condition, and heating the resulting mixture in the presence of a surfactant. The method has allowed the preparation of a porous SiO2 film which has a low relative dielectric constant and is also free from the change of its relative dielectric constant even when a film is laminated thereon after the formation thereof in a semiconductor process. The organic silane is preferably an organic silane being hydrolyzable, such as TEOS and TMOS, and the surfactant is preferably a cationic surfactant, in particular, a halogenated alkyl trimethylammonium type cationic surfactant. A porous SOG film prepared by the method is suitable for use as an interlayer insulating film.
(FR)
L'invention concerne un procédé de préparation d'un film poreux SOG, caractérisé en ce qu'il consiste à mettre en place une solution organique silane renfermant un silane organique, de l'eau et un alcool, à soumettre cette solution à une hydrolyse en milieu acide ou alcalin et à chauffer le mélange obtenu en présence d'un tensioactif. Ce procédé permet la préparation d'un film poreux SiO2 possédant une constante diélectrique relativement faible et étant exempte du changement de sa constante diélectrique même lorsqu'un film est laminé sur ce dernier, après la formation de celui-ci dans un processus semi-conducteur. Le silane organique est, de préférence, un silane organique pouvant être soumis à une hydrolyse, telle que TEOS et TMOS, et le tensioactif est, de préférence, un tensio-actif cationique, particulièrement un tensio-actif cationique du type alkyl triméthylammonium halogéné. Un film poreux SOG préparé selon ce procédé peut être utilisé comme film isolant intercouche.
Également publié en tant que
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