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1. WO2001075462 - DISPOSITIF DE CAPTEURS ET PROCEDE POUR SAISIR L'ETAT D'UN TRANSISTOR D'UN DISPOSITIF DE CAPTEURS

Numéro de publication WO/2001/075462
Date de publication 11.10.2001
N° de la demande internationale PCT/DE2001/001239
Date du dépôt international 29.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 15.10.2001
CIB
G01N 27/414 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
403Ensembles de cellules et d'électrodes
414Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c. à d. ISFETS ou CHEMFETS
G01R 29/12 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
29Dispositions pour procéder aux mesures ou à l'indication de grandeurs électriques n'entrant pas dans les groupes G01R19/-G01R27/165
12Mesure du champ électrostatique
G01R 31/27 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
31Dispositions pour tester les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour tests électriques caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs
26Test de dispositifs individuels à semi-conducteurs
27Test de dispositifs sans les extraire physiquement du circuit dont ils font partie, p.ex. compensation des effets dus aux éléments environnants
G01R 31/28 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
31Dispositions pour tester les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour tests électriques caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs
28Test de circuits électroniques, p.ex. à l'aide d'un traceur de signaux
CPC
G01N 27/4145
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electro-chemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
403Cells and electrode assemblies
414Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
4145specially adapted for biomolecules, e.g. gate electrode with immobilised receptors
G01N 27/4148
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electro-chemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
403Cells and electrode assemblies
414Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
4148Integrated circuits therefor, e.g. fabricated by CMOS processing
G01R 29/12
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
29Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
12Measuring electrostatic fields ; or voltage-potential
G01R 31/27
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
26Testing of individual semiconductor devices
27Testing of devices without physical removal from the circuit of which they form part, e.g. compensating for effects surrounding elements
G01R 31/2829
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
282Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
2829Testing of circuits in sensor or actuator systems
G01R 31/31702
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
317Testing of digital circuits
31702Testing digital circuits including elements other than semiconductor transistors, e.g. biochips, nanofabrics, mems, chips with magnetic elements
Déposants
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE]/[DE] (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, JP, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
  • THEWES, Roland [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • THEWES, Roland
Mandataires
  • VIERING, JENTSCHURA & PARTNER
Données relatives à la priorité
100 15 958.330.03.2000DE
100 23 357.012.05.2000DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) SENSOR-ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUM ERFASSEN EINES ZUSTANDS EINES TRANSISTORS EINER SENSOR-ANORDNUNG
(EN) SENSOR ARRAY AND METHOD FOR DETECTING THE CONDITION OF A TRANSISTOR IN A SENSOR ARRAY
(FR) DISPOSITIF DE CAPTEURS ET PROCEDE POUR SAISIR L'ETAT D'UN TRANSISTOR D'UN DISPOSITIF DE CAPTEURS
Abrégé
(DE)
Die Transistoren (101, 124) der Sensor-Anordnung (100) sind als Sensoren ausgestaltet. Ferner ist ein Auswahlmittel (112-114, 116-118) vorgesehen zum Auswählen eines Transistors (124), dessen Zustand erfasst werden soll. Die Sensor-Anordnung (100) ist derart eingerichtet, dass der ausgewählte Transistor (124) zumindest bei erfolgter Auswahl als Sourcefolger betreibbar ist.
(EN)
The transistors (101, 124) of the sensor array (100) are configured as sensors. In addition, selection means (112-114, 116-118) are provided for selecting a transistor (124) whose condition is to be detected. The sensor (100) is set up in such a way that the selected transistor (124) can be operated as a source tracker, at least after successful selection.
(FR)
Les transistors (101, 124) du dispositif de capteurs (100) sont conçus comme des capteurs. De plus, un moyen de sélection (112-114, 116-118) permet de sélectionner un transistor (124), dont l'état doit être saisi. Ledit dispositif de capteurs (100) est conçu de telle sorte que le transistor (124) sélectionné peut fonctionner en tant que source suiveuse, du moins lorsque la sélection est effectuée.
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