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1. WO2001075197 - PROCEDE ET APPAREIL DE POLISSAGE DE DIAMANT A GRANDE ECHELLE

Numéro de publication WO/2001/075197
Date de publication 11.10.2001
N° de la demande internationale PCT/US2001/001628
Date du dépôt international 18.01.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 03.11.2001
CIB
C30B 33/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
33Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
CPC
C30B 29/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
04Diamond
C30B 33/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
H01J 2237/336
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
32Processing objects by plasma generation
33characterised by the type of processing
336Changing physical properties of treated surfaces
H01J 37/32623
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32623Mechanical discharge control means
H01J 37/32688
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3266Magnetic control means
32688Multi-cusp fields
Déposants
  • HRL LABORATORIES, LLC [US]/[US]
  • GREGOIRE, Daniel, J. [US]/[US]
  • WEI, Ronghua [US]/[US]
Inventeurs
  • GREGOIRE, Daniel, J.
  • WEI, Ronghua
Mandataires
  • TOPE-MCKAY, Cary, R.
Données relatives à la priorité
09/541,17803.04.2000US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR LARGE-SCALE DIAMOND POLISHING
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE POLISSAGE DE DIAMANT A GRANDE ECHELLE
Abrégé
(EN)
A method and apparatus for the polishing of diamond surfaces, wherein the diamond surface is subjected to plasma-enhanced chemical etching using an atomic oxygen polishing plasma source, are disclosed. In the apparatus, a magnetic filter passes a plume of high-density, low-energy, atomic oxygen plasma. The plasma is capable of uniformly polishing diamond surfaces. By generating high-density atomic oxygen plasma (502) with magnetic filtration, the atomic oxygen polishing plasma source (100) provides for a rapid reaction rate between the atomic oxygen plasma (502) and the diamond surface (500). Potential anisotropic effects in diamond polishing are further limited in the present invention by the selective generation of low energy atomic oxygen plasma (502). Restricting the plasma flow to low energy species limits the physical bombardment of the diamond surface (500) by atomic or molecular oxygen ions, a process that results in directional, and accordingly non-uniform, etching of the diamond surface.
(FR)
Procédé et appareil de polissage de surfaces de diamant, ladite surface étant soumise à une attaque chimique améliorée par plasma reposant sur l'utilisation d'une source de plasma d'oxygène atomique de polissage. Dans ledit appareil, un filtre magnétique laisse passer un plasma d'oxygène atomique éjecté de haute densité et de faible énergie. Ce plasma est capable de polir uniformément des surfaces de diamant. Du fait de la production de plasma d'oxygène atomique (502) de haute densité à filtrage magnétique, la source (100) de plasma d'oxygène atomique de polissage produit une vitesse de réaction rapide entre le plasma d'oxygène atomique (502) et la surface (500) de diamant. La présente invention permet de limiter encore les effets anisotropiques potentiels du polissage de diamant par génération sélective de plasma d'oxygène atomique (502) à faible énergie. La restriction du flux de plasma à des espèces de faible énergie limite le bombardement physique de la surface (500) de diamant par les ions d'oxygène atomiques ou moléculaires, processus qui engendre une attaque directionnelle, et partant non uniforme, de la surface de diamant.
Également publié en tant que
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