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1. (WO2001074962) COMPOSITION ADHESIVE, SON PROCEDE DE PREPARATION, FILM ADHESIF DANS LEQUEL LADITE COMPOSITION EST UTILISEE, SUBSTRAT POUR SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/074962    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/002716
Date de publication : 11.10.2001 Date de dépôt international : 30.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.07.2001    
CIB :
C09J 7/00 (2006.01), C09J 7/02 (2006.01), C09J 163/00 (2006.01), H01L 21/58 (2006.01), H01L 21/68 (2006.01)
Déposants : HITACHI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Nishi-shinjuku 2-chome Shinjuku-ku Tokyo 163-0449 (JP) (Tous Sauf US).
TOMIYAMA, Takeo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
INADA, Teiichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YASUDA, Masaaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HATAKEYAMA, Keiichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HASEGAWA, Yuuji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIYAMA, Masaya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUZAKI, Takayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
URUNO, Michio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI, Masao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IWAKURA, Tetsurou [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIMADA, Yasushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA, Yuuko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KURIYA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUMIYA, Keiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TOMIYAMA, Takeo; (JP).
INADA, Teiichi; (JP).
YASUDA, Masaaki; (JP).
HATAKEYAMA, Keiichi; (JP).
HASEGAWA, Yuuji; (JP).
NISHIYAMA, Masaya; (JP).
MATSUZAKI, Takayuki; (JP).
URUNO, Michio; (JP).
SUZUKI, Masao; (JP).
IWAKURA, Tetsurou; (JP).
SHIMADA, Yasushi; (JP).
TANAKA, Yuuko; (JP).
KURIYA, Hiroyuki; (JP).
SUMIYA, Keiji; (JP)
Mandataire : TSUKUNI, Hajime; SVAX TS Bldg. 22-12, Toranomon 1-chome Minato-ku Tokyo 105-0001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-101253 31.03.2000 JP
2000-101254 31.03.2000 JP
2001-074268 15.03.2001 JP
2001-078587 19.03.2001 JP
Titre (EN) ADHESIVE COMPOSITION, METHOD FOR PREPARING THE SAME, ADHESIVE FILM USING THE SAME, SUBSTRATE FOR CARRYING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) COMPOSITION ADHESIVE, SON PROCEDE DE PREPARATION, FILM ADHESIF DANS LEQUEL LADITE COMPOSITION EST UTILISEE, SUBSTRAT POUR SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)An adhesive composition characterized in that it comprises (a) an epoxy resin, (b) a curing agent and (c) a high molecular weight compound having a weight average molecular weight of 100,000 or more, wherein, when A represents the total weight of the epoxy resin (a) and the curing agent (b) and B represents the weight of the high molecular weight compound (c), the ratio A/B is more than 1 and not more than 10; an adhesive composition characterized in that the components thereof are separated into a sea phase and island phases in a cross section after curing, wherein, when X represents the area of the sea phase and Y represents the area of the island phases, the ratio X/Y is 0.1 to 1.0; an adhesive film comprising any of the above adhesives formed into a film; an adhesive film for connecting a semiconductor chip with a substrate for carrying a semiconductor or with another semiconductor chip, characterized in that the adhesive film can fix them with a pressure of 0.01 to 0.5 MPa while heating; a substrate for carrying a semiconductor having the adhesive film on the surface thereof to carry a chip; and a semiconductor device which uses the adhesive film or the substrate for carrying a semiconductor.
(FR)L'invention concerne une composition adhésive se caractérisant en ce qu'elle comprend : (a) une résine époxy, (d) un agent de traitement et(c) un composé de poids moléculaire élevé présentant un poids moléculaire moyen de 100 000 ou plus, A représentant le poids total de la résine époxy (a) et de l'agent de traitement (b), B représentant le poids du composé de poids moléculaire élevé (c), le rapport A/B étant supérieur à 1 et inférieur ou égal à 10. L'invention porte également sur une composition adhésive se caractérisant en ce que ses composants sont séparés en une phase de mer et des phases d'îles dans la section après traitement, X représentant la zone de la phase de mer et Y représentant la phase d'île, le rapport X/Y étant de 0,1 à 1,0. Elle se rapporte encore à un film adhésif comprenant un des adhésifs susmentionnés, quel qu'il soit, formant un film, ainsi qu'à un film adhésif utilisé pour connecter une puce à semiconducteur à un substrat de support de semiconducteur ou avec une deuxième puce à semiconducteur, se caractérisant en ce que le film adhésif peut les fixer avec une pression de 0,01 à 0,5 Mpa sous l'effet de la chaleur ; à un substrat de support de semiconducteur sur la surface duquel ledit film adhésif est prévu, pour porter une puce ; et à un dispositif à semiconducteur dans lequel le film adhésif ou le substrat est utilisé pour porter un semiconducteur
États désignés : KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)