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1. WO2001074958 - AGENT DE POLISSAGE ET PROCEDE DE REALISATION DE COUCHES PLANAIRES

Numéro de publication WO/2001/074958
Date de publication 11.10.2001
N° de la demande internationale PCT/EP2001/003113
Date du dépôt international 19.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 17.09.2001
CIB
C09G 1/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
GCOMPOSITIONS DE PRODUITS À POLIR AUTRES QUE LE VERNIS À L'ALCOOL; FARTS
1Compositions de produits à polir
02contenant des abrasifs ou agents de polissage
C09K 3/14 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3Substances non couvertes ailleurs
14Substances antidérapantes; Abrasifs
H01L 21/3105 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105Post-traitement
CPC
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH; SKI WAXES
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
C09K 3/1463
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
1463Aqueous liquid suspensions
H01L 21/31053
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
31051Planarisation of the insulating layers
31053involving a dielectric removal step
Déposants
  • BAYER AKTIENGESELLSCHAFT [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • VOGT, Kristina [DE]/[DE] (UsOnly)
  • PANTKE, Dietrich [DE]/[DE] (UsOnly)
  • PUPPE, Lothar [DE]/[DE] (UsOnly)
  • KIRCHMEYER, Stephan [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • VOGT, Kristina
  • PANTKE, Dietrich
  • PUPPE, Lothar
  • KIRCHMEYER, Stephan
Représentant commun
  • BAYER AKTIENGESELLSCHAFT
Données relatives à la priorité
100 16 020.431.03.2000DE
100 63 870.821.12.2000DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) POLIERMITTEL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG PLANARER SCHICHTEN
(EN) POLISHING AGENT AND METHOD FOR PRODUCING PLANAR LAYERS
(FR) AGENT DE POLISSAGE ET PROCEDE DE REALISATION DE COUCHES PLANAIRES
Abrégé
(DE)
Als Poliermittel für das Planarisieren von Siliciumdioxid-Schichten werden SiO2-haltige Slurries eingesetzt. Es wurde gefunden, dass die Slurries beim Polieren von SiO2-Schichten eine höhere Abtragsrate besitzen, wenn die eingesetzten Kieselsole eine bimodale Teilchengrößenverteilung aufweisen.
(EN)
Slurries containing SiO2 are used as a polishing agent for planarizing silicon dioxide layers. It was found that slurries have a higher abrasion rate during the polishing of SiO2 layers if the silica sols used have a bimodal particle size distribution.
(FR)
Selon l'invention, on utilise, comme agent de polissage pour la planarisation de couches de dioxyde de silicium, des pâtes fluides contenant du SiO2. On a trouvé que les pâtes fluides présentent une vitesse d'abrasion plus élevée, lors du polissage de couches de SiO2, si les sols de silice utilisés présentent une distribution des tailles de particules bimodale.
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