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1. (WO2001073828) PROCEDE DE DOPAGE DE SILICIUM AVEC DU PHOSPHORE ET DE DEVELOPPEMENT D'OXYDE SUR DU SILICIUM EN PRESENCE DE VAPEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2001/073828 N° de la demande internationale : PCT/US2001/009200
Date de publication : 04.10.2001 Date de dépôt international : 22.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 29.10.2001
CIB :
C30B 33/00 (2006.01) ,H01L 21/225 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
33
Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
22
Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
225
en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p.ex. une couche d'oxyde dopée
Déposants : RAPP, James, E.[US/US]; US (UsOnly)
ROGENSKI, Russell, B.[US/US]; US (UsOnly)
TECHNEGLAS, INC.[US/US]; 25875 SR 25, 52-LDP Perrysburg, OH 43551, US (AllExceptUS)
Inventeurs : RAPP, James, E.; US
ROGENSKI, Russell, B.; US
Mandataire : JACQUES, Laurie, N.; Porter, Wright, Morris & Arthur LLP 41 S. High Street Columbus, OH 43215, US
Données relatives à la priorité :
09/538,55829.03.2000US
Titre (EN) METHOD OF DOPING SILICON WITH PHOSPHORUS AND GROWING OXIDE ON SILICON IN THE PRESENCE OF STEAM
(FR) PROCEDE DE DOPAGE DE SILICIUM AVEC DU PHOSPHORE ET DE DEVELOPPEMENT D'OXYDE SUR DU SILICIUM EN PRESENCE DE VAPEUR
Abrégé :
(EN) A method of doping silicon that involves placing a silicon wafer in spaced relationship to a solid phosphorus dopant source at a first temperature for a time sufficient to deposit a phosphorus-containing layer on the surface of the wafer and subsequently oxidizing the doped silicon wafer with wet oxygen or pyrogenic steam at a second temperature lower than the first temperature. The silicon wafer is maintained in spaced relationship to the solid phosphorus dopant source during the oxidizing step. The temperatures are selected such that the solid phosphorus dopant source evolves P2O5 at the first temperature and the second temperature is sufficiently lower than the first temperature to decrease evolution of P2O5 from the solid phosphorus dopant source during the oxidizing step.
(FR) L'invention concerne un procédé de dopage de silicium consistant à placer une tranche de silicium de manière espacée par rapport à une source dopante de phosphore solide à une première température pendant une durée suffisante pour déposer une couche contenant du phosphore sur la surface de cette tranche, puis à oxyder la tranche de silicium dopé avec de l'oxygène humide ou une vapeur pyrogène à une seconde température inférieure à la première température. L'espace séparant la tranche de silicium de la source dopante de phosphore est maintenu pendant l'étape d'oxydation. Les températures sont sélectionnées de manière que la source dopante de phosphore solide produise du P2O5 à la première température et que la seconde température soit suffisamment inférieure à la première température pour réduire la production de P2O5 à partir de la source dopante de phosphore pendant l'étape d'oxydation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)