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1. (WO2001073826) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE SEMI-CONDUCTEUR HAUTE FREQUENCE ET STRUCTURE Y RELATIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/073826    N° de la demande internationale :    PCT/EP2001/002471
Date de publication : 04.10.2001 Date de dépôt international : 05.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.10.2001    
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/732 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01), H01L 29/93 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53 81669 München (DE) (Tous Sauf US).
LOSEHAND, Reinhard [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WERTHMANN, Hubert [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : LOSEHAND, Reinhard; (DE).
WERTHMANN, Hubert; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN & FISCHER; Postfach 12 10 26 80034 München (DE)
Données relatives à la priorité :
00106460.9 24.03.2000 EP
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HOCHFREQUENZ-HALBLEITERSTRUKTUR UND HOCHFREQUENZ-HALBLEITERSTRUKTUR
(EN) METHOD FOR PRODUCING A HIGH-FREQUENCY SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND A HIGH-FREQUENCY SEMICONDUCTOR STRUCTURE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DE SEMI-CONDUCTEUR HAUTE FREQUENCE ET STRUCTURE Y RELATIVE
Abrégé : front page image
(DE)Zur Herstellung von Bauelementen einer Halbleiterstruktur wird auf eine Wanne (3) in einem Substrat (2) eine Pufferschicht (4) epitaktisch aufgewachsen und anschließend im Bereich außerhalb der Wannen (3) entfernt. Durch diese Maßnahme werden Randverluste aufgrund der leitfähigen, selbstdotierten Schicht entlang der Grenzfläche des Substrats (2) zu einer nachfolgenden Epitaxieschicht (5) vermindert. Die Bauelemente eignen sich insbesondere für Hochfrequenzanwendungen.
(EN)The aim of the invention is to produce components of a semiconductor structure. A buffer layer (4) is epitactically overgrown on a tank (3) in a substrate (2) and is subsequently removed in the region outside the tanks (3). Edge losses caused by the conductive self-doped layer along the boundary surface of the substrate (2) in the direction towards a successive epitaxy layer (5) are reduced by means of said measure. The components are particularly useful for high-frequency applications.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication de composants d'une structure de semi-conducteur, selon lequel une couche tampon (4) est tirée de manière épitactique sur une cuve (3) dans un substrat (2), et est ensuite prélevée dans la région à l'extérieur des cuves (3). Ce procédé permet de réduire les pertes en bordure résultant de la couche conductrice autodopée, le long de la surface limite du substrat (2), en direction d'une couche d'épitaxie subséquente (5). Les composants conviennent particulièrement pour des applications haute fréquence.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)