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1. WO2001073814 - PROCEDE ET APPAREIL DE COMMANDE DE PUISSANCE FOURNIE A UNE ELECTRODE A MULTIPLES SEGMENTS

Numéro de publication WO/2001/073814
Date de publication 04.10.2001
N° de la demande internationale PCT/US2001/009199
Date du dépôt international 23.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 22.10.2001
CIB
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
CPC
H01J 37/32082
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
H01J 37/32174
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
32174Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
H01J 37/32532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32532Electrodes
Déposants
  • TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • PARSONS, Richard [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • PARSONS, Richard
Mandataires
  • LAZAR, Dale, S.
Données relatives à la priorité
60/192,50828.03.2000US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING POWER DELIVERED TO A MULTIPLE SEGMENT ELECTRODE
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE COMMANDE DE PUISSANCE FOURNIE A UNE ELECTRODE A MULTIPLES SEGMENTS
Abrégé
(EN)
An RF power supply system (200) for use with an electrode (60) in a plasma reactor system (10) capable of supporting a plasma (32) with a plasma load impedance (ZR), wherein the electrode comprises a plurality of electrode segments (62a, 62b,... 62n). The system comprises a master oscillator (210), and a plurality of RF power supply subsystems (220a, 220b,... 220n) each electronically connected thereto, and to respective ones of the electrode segments. Each RF power supply subsystem includes a phase shifter (224), an amplifier/power supply (230), a circulator (236), a directional coupler (242), and a match network (MN/L). The latter has a match network impedance. The system further includes a control system (184) electronically connected to each RF power supply subsystem. The control system dynamically changes the match network impedance for each subsystem to match the plasma load impedance, and also adjusts one or more of the phase shifters in response to an electrode segment receiving power from other electrode segments. A method of controlling the RF power supply system is disclosed, as is a method for processing a substrate (40) with a plasma processing system having the RF power supply system of the present invention.
(FR)
L'invention concerne un système d'alimentation hyperfréquence (200) à utiliser avec une électrode (60) dans un système de réacteur à plasma (10) pouvant supporter un plasma (32) assorti d'une impédance de charge de plasma (ZR), l'électrode comportant plusieurs segments d'électrode (62a, 62b, 62n). Le système comporte un oscillateur maître (210) et plusieurs sous-systèmes d'alimentation hyperfréquence (220a, 220b, 220n) électroniquement reliés à l'oscillateur et à des segments d'électrode respectifs. Chaque sous-système d'alimentation hyperfréquence comprend un décaleur de phase (224), un amplificateur/alimentation (230), un circulateur (236), un coupleur directionnel (242), et un réseau d'adaptation (MN/L). Ce dernier comporte une impédance de réseau d'adaptation. Le système comprend en outre un système de commande (184) relié électroniquement à chaque sous-système d'alimentation hyperfréquence. Le système de commande modifie de manière dynamique l'impédance de réseau d'adaptation pour chaque sous-système afin de s'aligner sur l'impédance de charge de plasma, et règle également un ou plusieurs décaleurs de phase en réponse à un segment d'électrode recevant de l'énergie d'autres segments. L'invention concerne également un procédé de commande du système d'alimentation hyperfréquence ainsi qu'un procédé de traitement d'un substrat (40) au moyen d'un système de traitement au plasma comportant le système d'alimentation hyperfréquence de la présente invention.
Également publié en tant que
US10244417
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