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1. WO2001073169 - PLAQUETTE DE SILICIUM ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE SILICIUM

Numéro de publication WO/2001/073169
Date de publication 04.10.2001
N° de la demande internationale PCT/JP2001/002451
Date du dépôt international 27.03.2001
CIB
C30B 15/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
CPC
C30B 15/203
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
20Controlling or regulating
203the relationship of pull rate (v) to axial thermal gradient (G)
C30B 15/206
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
20Controlling or regulating
206the thermal history of growing the ingot
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
Déposants
  • SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • HOSHI, Ryoji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • FUSEGAWA, Izumi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • OHTA, Tomohiko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • MAEDA, Shigemaru [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • HOSHI, Ryoji
  • FUSEGAWA, Izumi
  • OHTA, Tomohiko
  • MAEDA, Shigemaru
Mandataires
  • YOSHIMIYA, Mikio
Données relatives à la priorité
2000-9233729.03.2000JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SILICON WAFER AND METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL
(FR) PLAQUETTE DE SILICIUM ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE SILICIUM
Abrégé
(EN)
A silicon wafer which is made of a silicon single crystal having been grown under conditions in the V-rich region and has particles having a size of 0.1 µm or more in an amount of 1 piece/cm2 or less as counted by means of a particle counter; and a method for growing a silicon single crystal by Czochralski method, for use in producing the above silicon wafer, characterized in that a time, L/F (min), required for passing through the temperature range from 1150°C to 1080°C is 0.28/(F/G - 0.225)2 min or less, and F/G is 0.22 mm2/K . min or more, wherein G (K/mm) represents a temperature gradient of the center of a crystal in the direction of pulling up in the range from the melting point of silicon to 1400°C, L (mm) represents the length of the crystal having a temperature in the region from 1150°C to 1080°C, and F (mm/min) represents a rate of crystal growth.
(FR)
L'invention concerne une plaquette de silicium, constituée d'un monocristal de silicium que l'on a tiré dans certaines conditions dans la région riche en V, qui contient des particules d'une granulométrie supérieure ou égale à 0,1 $g(m)m, à raison de 1 élément/cm2 au plus, tel que déterminé par un compteur de particules. L'invention concerne également un procédé de tirage d'un monocristal de silicium suivant la méthode de Czochralski, lequel procédé est destiné à être mis en oeuvre pour la réalisation de la plaquette de silicium précitée. Ledit procédé est caractérisé en ce que le temps, L/F (min), nécessaire pour que la température passe de 1150 °C à 1080 °C est inférieur ou égal à 0,28 (F/G - 0,225)2 min (F/G étant supérieur ou égal à 0,22 mm2/K . min), G (K/mm) représentant le gradient de température du centre d'un cristal dans le sens du tirage, dans la plage comprise entre le point de fusion du silicium et 1400 °C, L(mm) représentant la longueur du cristal à une température comprise entre 1150 °C et 1080 °C, et F (mm/min) représentant la vitesse de croissance des cristaux.
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