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1. (WO2001018884) SYSTEME DE MATERIAU THERMOELECTRIQUE AMELIORE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/018884    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/022994
Date de publication : 15.03.2001 Date de dépôt international : 22.08.2000
CIB :
H01L 35/16 (2006.01)
Déposants : SYMYX TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 3100 Central Expressway, Santa Clara, CA 95051 (US) (Tous Sauf US).
HORNBOSTEL, Marc [US/US]; (US) (US Seulement).
ARCHIBALD, William, B. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HORNBOSTEL, Marc; (US).
ARCHIBALD, William, B.; (US)
Mandataire : DOBRUSIN, Eric, M.; Dobrusin, Darden, Thennisch & Lorenz PLLC, 401 S. Old Woodward Avenue, Suite 311, Birmingham, MI 48009 (US)
Données relatives à la priorité :
09/393,851 09.09.1999 US
Titre (EN) IMPROVED THERMOELECTRIC MATERIAL SYSTEM
(FR) SYSTEME DE MATERIAU THERMOELECTRIQUE AMELIORE
Abrégé : front page image
(EN)An improved material for a thermoelectric device and thermoelectric systems incorporating the same. The present invention overcomes the shortcomings of the prior art by providing an improved thermoelectric material and system. In a preferred embodiment, the material is based upon the system A¿x?M¿y?B¿z?, where A is one or more element selected from the group consisting of Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Sc and mixtures thereof; B is one or more element selected from the group consisting of P, As, Sb, Bi, Ge, Sn, Pb, Si, Se, Te and mixtures thereof; and M is a transition metal, a noble metal, or a mixture thereof; and further where x ranges from about 59 to about 72, and y ranges up to about 15, and z ranges from about 25 to about 33.
(FR)L'invention concerne un matériau amélioré pour dispositif thermoélectrique et des systèmes thermoélectriques incorporant ce matériau. L'invention concerne un matériau et un système thermoélectrique apportant une solution aux insuffisances de matériaux actuels. Dans une forme de réalisation préférée, le matériau est basé sur la structure A¿x?M¿y?B¿z?, dans laquelle A représente un ou plusieurs éléments sélectionné(s) dans le groupe constitué par Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Sc et leurs mélanges; B représente un ou plusieurs élément(s) sélectionné(s) dans le groupe constitué par P, As, Sb, Bi, Ge, Sn, Pb, Si, Se, Te et leurs mélanges; M représente un métal de transition, un métal noble ou un mélange de ceux-ci; x est un nombre compris entre environ 59 et environ 72, y est un nombre égal ou inférieur à environ 15, et z est un nombre compris entre environ 25 et environ 33.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)