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1. (WO2001014934) COMPOSITION D'ENLEVEMENT DE PHOTORESIST
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/014934    N° de la demande internationale :    PCT/KR2000/000902
Date de publication : 01.03.2001 Date de dépôt international : 14.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.03.2001    
CIB :
G03F 7/42 (2006.01)
Déposants : DONGJIN SEMICHEM CO., LTD. [KR/KR]; 425-2, Gajwa-dong, Seo-gu, Incheon-city 404-250 (KR) (Tous Sauf US).
BAIK, Ji-Hum [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
OH, Chang-Il [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Sang-Dai [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
YOO, Chong-Soon [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : BAIK, Ji-Hum; (KR).
OH, Chang-Il; (KR).
LEE, Sang-Dai; (KR).
YOO, Chong-Soon; (KR)
Mandataire : LEE, Young-Pil; The Cheonghwg Building, 1571-18 Seocho-dong, Seocho-gu, Seoul 137-073 (KR)
Données relatives à la priorité :
1999/34323 19.08.1999 KR
Titre (EN) PHOTORESIST REMOVER COMPOSITION
(FR) COMPOSITION D'ENLEVEMENT DE PHOTORESIST
Abrégé : front page image
(EN)A photoresist remover composition including: 10 to 30% by weight amine compound; 20 to 60% by weight glycol series solvent; 20 to 60% by weight polar solvent; and 0.01 to 3% by weight perfluoroalkylethyleneoxide. The performance of the photoresist remover composition in stripping the photoresist residue, which is generated by dry or wet etching, ashing or ion implantation, from a substrate is enhance, and the photoresist remover composition is able to be smoothly applied over a variety of metal layers including an aluminum (Al) layer. Also, the photoresist remover composition corrodes the metal layers very little.
(FR)L'invention concerne une composition d'enlèvement de photorésist, comprenant : 10 à 20 % en poids de composé amine ; 20 à 60 % en poids de solvant du type glycol ; 20 à 60 % en poids de solvant polaire ; et 0,01 à 3 % en poids de perfuluoroalkyléthylèneoxyde. L'efficacité de la composition d'enlèvement de photorésist pour induire la séparation du résidu de photorésist, par attaque sèche ou humide, par polissage humide ou implantation d'ions, d'un substrat, est accrue, et la composition d'enlèvement de photorésist peut être appliquée facilement sur une grande variété de couches de métal, dont une couche d'aluminium (Al). Par ailleurs, la composition d'enlèvement de photorésist corrode très peut les couches de métal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)