(EN) A porous siliceous film having a relative permittivity of less than 2.5; semiconductor devices having such films; and a coating composition for forming the film. The coating composition comprises an aluminum-containing polysilazane, a polyacrylic or polymethacrylic ester, and an organic solvent, and the above low-permittivity porous siliceous film can be formed by applying the composition and firing the resulting coating. The above siliceous film acts as an interlayer dielectric film, when formed in a semiconductor device.
(FR) L'invention concerne un film siliceux poreux présentant une permittivité relative inférieure à 2,5; des dispositifs de semiconducteur munis de ce type de films; et une composition de revêtement permettant de former ledit film. La composition de revêtement comprend un polysilazane contenant de l'aluminium, un ester polyacrylique ou polyméthacrylique, et un solvant organique. Le film siliceux poreux à faible permittivité susmentionné peut être formé par application de la composition et par cuisson du revêtement qui en résulte. Le film silicieux agit comme un film diélectrique intercouches lorsqu'il est formé dans un dispositif de semiconducteur.