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1. WO2001004049 - FILM SILICEUX POREUX DE FAIBLE PERMITTIVITE, DISPOSITIFS DE SEMICONDUCTEUR MUNIS DE CE TYPE DE FILMS, ET COMPOSITION DE REVETEMENT PERMETTANT DE FORMER LEDIT FILM

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Numéro de publication WO/2001/004049
Date de publication 18.01.2001
N° de la demande internationale PCT/JP2000/004021
Date du dépôt international 20.06.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 28.07.2000
CIB
C09D 183/16 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
DCOMPOSITIONS DE REVÊTEMENT, p.ex. PEINTURES, VERNIS OU VERNIS-LAQUES; APPRÊTS EN PÂTE; PRODUITS CHIMIQUES POUR ENLEVER LA PEINTURE OU L'ENCRE; ENCRES; CORRECTEURS LIQUIDES; COLORANTS POUR BOIS; PRODUITS SOLIDES OU PÂTEUX POUR COLORIAGE OU IMPRESSION; EMPLOI DE MATÉRIAUX À CET EFFET
183Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant uniquement du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone; Compositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères
16dans lesquels tous les atomes de silicium sont liés autrement que par des atomes d'oxygène
H01L 21/312 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
312Couches organiques, p.ex. couche photosensible
H01L 21/316 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314Couches inorganiques
316composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
CPC
C09D 183/16
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
183Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
16in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
H01L 21/02164
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
02164the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
H01L 21/02203
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02203the layer being porous
H01L 21/02222
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02205the layer being characterised by the precursor material for deposition
02208the precursor containing a compound comprising Si
02219the compound comprising silicon and nitrogen
02222the compound being a silazane
H01L 21/02282
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
0226formation by a deposition process
02282liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
H01L 21/02337
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02296characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
02318post-treatment
02337treatment by exposure to a gas or vapour
Déposants
  • TONEN GENERAL SEKIYU K.K. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • AOKI, Tomoko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • SHIMIZU, Yasuo [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • AOKI, Tomoko
  • SHIMIZU, Yasuo
Mandataires
  • ISHIDA, Takashi
Données relatives à la priorité
11/19928213.07.1999JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) LOW-PERMITTIVITY POROUS SILICEOUS FILM, SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING SUCH FILMS, AND COATING COMPOSITION FOR FORMING THE FILM
(FR) FILM SILICEUX POREUX DE FAIBLE PERMITTIVITE, DISPOSITIFS DE SEMICONDUCTEUR MUNIS DE CE TYPE DE FILMS, ET COMPOSITION DE REVETEMENT PERMETTANT DE FORMER LEDIT FILM
Abrégé
(EN)
A porous siliceous film having a relative permittivity of less than 2.5; semiconductor devices having such films; and a coating composition for forming the film. The coating composition comprises an aluminum-containing polysilazane, a polyacrylic or polymethacrylic ester, and an organic solvent, and the above low-permittivity porous siliceous film can be formed by applying the composition and firing the resulting coating. The above siliceous film acts as an interlayer dielectric film, when formed in a semiconductor device.
(FR)
L'invention concerne un film siliceux poreux présentant une permittivité relative inférieure à 2,5; des dispositifs de semiconducteur munis de ce type de films; et une composition de revêtement permettant de former ledit film. La composition de revêtement comprend un polysilazane contenant de l'aluminium, un ester polyacrylique ou polyméthacrylique, et un solvant organique. Le film siliceux poreux à faible permittivité susmentionné peut être formé par application de la composition et par cuisson du revêtement qui en résulte. Le film silicieux agit comme un film diélectrique intercouches lorsqu'il est formé dans un dispositif de semiconducteur.
Également publié en tant que
CN1360559
DE000060014694
EP1232998
JP2001026415
KR1020020025191
SG86128
US20030099843
US20030152783
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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