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1. (WO2001001444) ANNEAU D'UNIFORMITE STATIONNAIRE SURELEVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/001444    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/018233
Date de publication : 04.01.2001 Date de dépôt international : 29.06.2000
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; P0541.PCT, 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94538-6516 (US) (Tous Sauf US).
NI, Tuqiang [CN/US]; (US) (US Seulement).
COLLISON, Wenli [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NI, Tuqiang; (US).
COLLISON, Wenli; (US)
Mandataire : LEE, Michael; Beyer Weaver & Thomas, LLP, P.O. Box 130, Mountain View, CA 94042-0130 (US)
Données relatives à la priorité :
09/346,564 30.06.1999 US
Titre (EN) ELEVATED STATIONARY UNIFORMITY RING
(FR) ANNEAU D'UNIFORMITE STATIONNAIRE SURELEVE
Abrégé : front page image
(EN)A plasma processing reactor (300) for processing a semiconductor substrate (312) is disclosed. The apparatus includes a chamber (302). Additionally, the chamber (302) includes a bottom electrode (314) that is configured for holding the substrate. The apparatus further includes a stationary uniformity ring (350) that is configured to surround the periphery of the substrate. Furthermore, the stationary uniformity ring is coupled to a portion of the chamber and disposed above the bottom electrode in a spaced apart relationship to form a vertical space (354) above the bottom electrode. Further, the vertical space is configured to provide room for ingress and egress of the substrate. Also, the stationary uniformity ring has a thickness (380) that substantially reduces diffusion of a first species from outside the stationary uniformity ring toward an edge of the substrate.
(FR)La présente invention concerne un réacteur de traitement au plasma (300) permettant de traiter un substrat de semi-conducteur (312). L'appareil comprend une chambre (302) qui, de plus, comporte une électrode inférieure (314) conçue pour maintenir le substrat. En outre, l'appareil comprend un anneau d'uniformité stationnaire (350) conçu pour entourer la périphérie du substrat. De plus, l'anneau d'uniformité stationnaire est couplé à une partie de la chambre et est disposé au-dessus de l'électrode inférieure, de façon éloignée, afin de former un espace vertical (354) au-dessus de l'électrode inférieure. De plus, l'espace vertical est conçu pour fournir de la place aux entrées et sorties du substrat. L'anneau d'uniformité stationnaire présente également une épaisseur (380) qui réduit sensiblement la diffusion d'une première espèce depuis l'extérieur de l'anneau d'uniformité stationnaire vers un bord du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)