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1. WO2000038065 - MEMOIRE INTEGREE A REDONDANCE

Numéro de publication WO/2000/038065
Date de publication 29.06.2000
N° de la demande internationale PCT/DE1999/003807
Date du dépôt international 01.12.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 04.04.2000
CIB
G11C 29/00 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
29Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
CPC
G11C 29/702
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation ; ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
702by replacing auxiliary circuits, e.g. spare voltage generators, decoders or sense amplifiers, to be used instead of defective ones
G11C 29/78
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
29Checking stores for correct operation ; ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
78using programmable devices
Déposants
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • HÖNIGSCHMID, Heinz [DE]/[DE] (UsOnly)
  • BRAUN, Georg [DE]/[DE] (UsOnly)
  • MAJDIC, Andrej [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • HÖNIGSCHMID, Heinz
  • BRAUN, Georg
  • MAJDIC, Andrej
Représentant commun
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG
Données relatives à la priorité
198 59 518.222.12.1998DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) INTEGRIERTER SPEICHER MIT REDUNDANZ
(EN) IC MEMORY HAVING A REDUNDANCY
(FR) MEMOIRE INTEGREE A REDONDANCE
Abrégé
(DE)
Der integrierte Speicher weist eine normale Bitleitung (BL) zum Übertragen von Daten von bzw. zu an sie angeschlossenen normalen Speicherzellen (MC) sowie einen normalen Leseverstärker (SA1) auf, der einerseits über eine Leitung (L1) mit der normalen Bitleitung (BL) und andererseits mit einer Datenleitung (DQ1) verbunden ist und zum Verstärken von aus den normalen Speicherzellen (MC) ausgelesenen Daten dient. Weiterhin weist der Speicher einen redundanten Leseverstärker (RSA1) zum Ersetzen des normalen Leseverstärkers (SA1) im Redundanzfall auf, der ebenfalls einerseits mit der Leitung (L1) und andererseits mit der Datenleitung (DQ1) verbunden ist und im Redundanzfall zum Verstärken der aus den normalen Speicherzellen (MC) ausgelesenen Daten dient.
(EN)
The invention relates to an IC memory with a normal bit line (BL) for transmitting data from or to normal memory cells (MC) connected to said line. The IC memory is further provided with a normal sense amplifier (SA1) which is linked via a line (L1) at the one end with the normal bit line (BL) and at the other end with a data line (DQ1). Said sense amplifier amplifies the data read out from the normal memory cells (MC). The memory also comprises a redundant sense amplifier (RSA1) for replacing the normal sense amplifier (SA1) in the case of a redundancy. Said redundant sense amplifier is also linked at the one end with the line (L1) and at the other end with the data line (DQ1) and amplifies the data read out from the normal memory cells (MC) in the case of a redundancy.
(FR)
L'invention concerne une mémoire intégrée à redondance comprenant une ligne binaire normale (BL) pour transmettre des données depuis ou vers des cellules de mémoire normales (MC) qui lui sont raccordées, ainsi qu'un amplificateur de lecture normal (SA1), connecté d'une part à la ligne binaire normale (BL) par l'intermédiaire d'une ligne (L1) et d'autre part à une ligne de données (DQ1), et qui sert par ailleurs à amplifier les données extraites des cellules de mémoire normales (MC). Cette mémoire présente en outre un amplificateur de lecture redondant (RSA1) pour remplacer l'amplificateur de lecture normal (SA1) en cas de redondance, qui est également connecté d'une part à la ligne (L1) et d'autre part à la ligne de données (DQ1) et sert, en cas de redondance, à amplifier les données extraites des cellules de mémoire normales (MC).
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