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1. WO2000034946 - COUCHE GERME POUR COUCHE DE FIXATION D'OXYDE DE NICKEL DESTINEE A ACCROITRE LA RESISTANCE MAGNETIQUE D'UN CAPTEUR D'ONDE DE SPIN

Numéro de publication WO/2000/034946
Date de publication 15.06.2000
N° de la demande internationale PCT/GB1999/003933
Date du dépôt international 26.11.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 17.05.2000
CIB
G01R 33/09 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
33Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
02Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
06en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
09des dispositifs magnéto-résistifs
G11B 5/39 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
BENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
127Structure ou fabrication des têtes, p.ex. têtes à variation d'induction
33Structure ou fabrication de têtes sensibles à un flux
39utilisant des dispositifs magnétorésistifs
H01F 10/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
FAIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
32Multicouches couplées par échange de spin, p.ex. superréseaux à structure nanométrique
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 25/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
25Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
G01R 33/093
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
33Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
02Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
06using galvano-magnetic devices, e.g. Hall effect devices; using magneto-resistive devices
09Magnetoresistive devices
093using multilayer structures, e.g. giant magnetoresistance sensors
G11B 2005/3996
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
5Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, ; i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
39using magneto-resistive devices ; or effects
3996large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
G11B 5/3903
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
5Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, ; i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
39using magneto-resistive devices ; or effects
3903using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
G11B 5/3932
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
5Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, ; i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
39using magneto-resistive devices ; or effects
3903using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
3906Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
3929Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
3932Magnetic biasing films
Déposants
  • INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US]/[US]
  • IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB]/[GB] ()
Inventeurs
  • PINARBASI, Mustafa
Mandataires
  • BOYCE, Conor
Données relatives à la priorité
09/205,47004.12.1998US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEED LAYER FOR A NICKEL OXIDE PINNING LAYER FOR INCREASING THE MAGNETORESISTANCE OF A SPIN VALVE SENSOR
(FR) COUCHE GERME POUR COUCHE DE FIXATION D'OXYDE DE NICKEL DESTINEE A ACCROITRE LA RESISTANCE MAGNETIQUE D'UN CAPTEUR D'ONDE DE SPIN
Abrégé
(EN)
A bottom spin valve sensor employs a seed layer (201) for a nickel oxide (NiO) antiferromagnetic pinning layer (212) for the purpose of increasing magnetoresistance of the sensor (dR/R). The spin valve sensor can be a simple spin valve or an antiparallel (AP) spin valve sensor. The seed layer is tantalum oxide TayOx or copper (Cu).
(FR)
L'invention porte sur un capteur inférieur d'onde de spin qui utilise une couche (201) germe dans une couche (212) de fixation antiferromagnétique d'oxyde de nickel (NiO) en vue d'accroître la résistance magnétique du capteur (dR/R). Le capteur d'onde de spin peut être un capteur simple ou un capteur antiparallèle (AP). La couche germe est de l'oxyde de tantale (TayOx) ou du cuivre (Cu).
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