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1. (WO2000017932) TRANSISTOR BIPOLAIRE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2000/017932    N° de la demande internationale :    PCT/DE1999/003070
Date de publication : 30.03.2000 Date de dépôt international : 20.09.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.04.2000    
CIB :
H01L 21/331 (2006.01)
Déposants : INSTITUT FÜR HALBLEITERPHYSIK FRANKFURT (ODER) GMBH [DE/DE]; Im Technologiepark 25, D-15236 Frankfurt (Oder) (DE) (Tous Sauf US).
EHWALD, Karl-Ernst [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HEINEMANN, Bernd [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WOLANSKY, Dirk [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
TILLACK, Bernd [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KNOLL, Dieter [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : EHWALD, Karl-Ernst; (DE).
HEINEMANN, Bernd; (DE).
WOLANSKY, Dirk; (DE).
TILLACK, Bernd; (DE).
KNOLL, Dieter; (DE)
Mandataire : HEITSCH, Wolfgang; Göhlsdorfer Strasse 25g, D-14778 Jeserig (DE)
Données relatives à la priorité :
198 45 787.1 21.09.1998 DE
Titre (DE) BIPOLARTRANSISTOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
(EN) BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung bezieht sich auf einen Bipolartransistor sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung. Aufgabe der Erfindung ist es, einen Bipolartransistor und ein Verfahren zu seiner Herstellung vorzuschlagen, bei dem für eine Einfach-Poly-Silizium-Technologie mit differentieller Epitaxie zur Basisherstellung die Nachteile konventioneller Anordnungen überwunden werden, um insbesondere die Hochgeschwindigkeitseigenschaften eines Bipolartransistors weiter zu verbessern. Erfindungsgemäss wird diese Aufgabe dadurch gelöst, dass durch Aufbringen einer geeigneten Schicht mit guten Bekeimungseigenschaften für die Si-Abscheidung und isolierenden Eigenschaften auf die eigentliche Isolatorschicht, die Bekeimung bei der differentiellen Epitaxie verbessert und damit die Poly-Siliziumschicht auf dem Isolargebiet mit grösserer Dicke abgeschieden wird. Die grössere Dicke der Poly-Siliziumschicht wird durch eine bessere Bekeimung erreicht, die eine Verkürzung der Induktionsperiode (Totzeit) für die Abscheidung auf der Isolatorschicht bewirkt. Die bessere und gleichmässigere Bekeimung der Ankeimschicht führt zu einer homogenen Abscheidung. Es entstehen Schichten mit gleichmässiger Kornstruktur und geringer Oberflächenrauhigkeit. Dadurch werden gleichmässige elektrische Eigenschaften erreicht.
(EN)The invention relates to a bipolar transistor and a method for producing same. The aim of the invention is to provide a bipolar transistor and a method for producing same, which during the use of a single-process poly-silicon technology with differential epitaxis for the production of bases overcomes the disadvantages of conventional systems, so as notably further to improve the high-speed properties of a bipolar transistor. To this end a suitable layer having good seeding properties for Si deposition as well as insulating properties is applied onto the actual insulating layer, so that seeding during differential epitaxis is improved and a thicker poly-silicon layer is thus deposited on the insulating area. The greater thickness of the poly-silicon layer is achieved by improved seeding, which reduces the induction period (dead time) for deposition on the insulating layer. Improved and more even seeding of the seed layer results in homogeneous deposition, thus producing layers with a regular grain structure and little surface roughness, which in turn achieves uniform electrical properties.
(FR)L'invention concerne un transistor bipolaire et son procédé de fabrication. L'invention a pour but de fournir un transistor bipolaire, ainsi qu'un procédé pour sa fabrication, dans lequel, lorsqu'on a recours à une technologie poly-silicium unique à épitaxie différentielle pour la fabrication de la base, les inconvénients des dispositifs conventionnels sont surmontés, notamment en vue d'améliorer les propriétés de vitesse élevée d'un transistor bipolaire. Conformément à l'invention, ce but est atteint grâce au fait qu'en appliquant une couche appropriée de bonnes propriétés de germination cristalline pour le dépôt Si et de propriétés d'isolation sur la couche d'isolation proprement dite, on améliore la germination cristalline lors de l'épitaxie différentielle, ce qui permet de déposer la couche de poly-silicium en une plus grande épaisseur, sur la région d'isolation. La plus grande épaisseur de la couche de poly-silicium est obtenue grâce à une meilleure germination cristalline qui provoque une diminution de la période d'induction (temps mort) pour le dépôt sur la couche d'isolation. La germination cristalline améliorée et uniformisée de la couche de nucléation cristalline entraîne un dépôt homogène. C'est ainsi qu'il se forme des couches d'une structure de grains régulière et d'une faible rugosité de surface, ce qui permet d'obtenir des propriétés électriques uniformes.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)