(EN) The present invention is directed to a process for evaluating a silicon wafer having a n-type or a p-type epitaxial layer on the surface thereof. In a first embodiment, an oxide layer is formed on the surface of a n-type epitaxial wafer by exposing the wafer to ultraviolet light while in the presence of oxygen. The wafer is then subjected to a capacitance-voltage measurement to evaluate the characteristics of the epitaxial layer. In a second embodiment, an oxide layer is dissolved from the surface of a p-type epitaxial wafer by passing a gaseous mixture comprising an inert carrier gas and hydrofluoric acid vapors over the surface of the wafer. The wafer is then subjected to a capacitance-voltage measurement to evaluate the characteristics of the epitaxial layer.
(FR) La présente invention concerne un procédé permettant d'analyser une plaquette de silicium dont la surface présente une couche épitaxiale du type n ou du type p. Dans un premier mode de réalisation, on forme une couche d'oxyde sur la surface d'une plaquette épitaxiale du type n en exposant cette plaquette à un rayonnement ultraviolet en présence d'oxygène. On soumet ensuite ladite plaquette à une mesure capacité-tension, afin d'analyser les caractéristiques de la couche épitaxiale. Dans un second mode de réalisation, on dissout une couche d'oxyde sur la surface d'une plaquette épitaxiale du type p en mettant en contact un mélange gazeux, renfermant un gaz porteur inerte et des vapeurs d'acide fluorhydrique, avec la surface de ladite plaquette, avant de soumettre celle-ci à une mesure capacité-tension afin d'analyser les caractéristiques de la couche épitaxiale.