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1. WO1999060615 - PROCEDE DE PREPARATION DE PLAQUETTES EPITAXIALES POUR MESURES DE RESISTIVITE

Numéro de publication WO/1999/060615
Date de publication 25.11.1999
N° de la demande internationale PCT/US1999/009786
Date du dépôt international 05.05.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 21.10.1999
CIB
G01R 27/26 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
RMESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
27Dispositions pour procéder aux mesures de résistance, de réactance, d'impédance, ou de caractéristiques électriques qui en dérivent
02Mesure de résistances, de réactances, d'impédances réelles ou complexes, ou autres caractéristiques bipolaires qui en dérivent, p.ex. constante de temps
26Mesure de l'inductance ou de la capacitance; Mesure du facteur de qualité, p.ex. en utilisant la méthode par résonance; Mesure de facteur de pertes; Mesure des constantes diélectriques
H01L 21/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
CPC
G01R 27/2605
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
27Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
02Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
26Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; ; Measuring impedance or related variables
2605Measuring capacitance
H01L 22/14
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
10Measuring as part of the manufacturing process
14for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
Déposants
  • MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • VACCARI, Giovanni
Mandataires
  • HEJLEK, Edward, J.
  • JAMES, Kurt, F.
Données relatives à la priorité
09/082,93321.05.1998US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PROCESS FOR THE PREPARATION OF EPITAXIAL WAFERS FOR RESISTIVITY MEASUREMENTS
(FR) PROCEDE DE PREPARATION DE PLAQUETTES EPITAXIALES POUR MESURES DE RESISTIVITE
Abrégé
(EN)
The present invention is directed to a process for evaluating a silicon wafer having a n-type or a p-type epitaxial layer on the surface thereof. In a first embodiment, an oxide layer is formed on the surface of a n-type epitaxial wafer by exposing the wafer to ultraviolet light while in the presence of oxygen. The wafer is then subjected to a capacitance-voltage measurement to evaluate the characteristics of the epitaxial layer. In a second embodiment, an oxide layer is dissolved from the surface of a p-type epitaxial wafer by passing a gaseous mixture comprising an inert carrier gas and hydrofluoric acid vapors over the surface of the wafer. The wafer is then subjected to a capacitance-voltage measurement to evaluate the characteristics of the epitaxial layer.
(FR)
La présente invention concerne un procédé permettant d'analyser une plaquette de silicium dont la surface présente une couche épitaxiale du type n ou du type p. Dans un premier mode de réalisation, on forme une couche d'oxyde sur la surface d'une plaquette épitaxiale du type n en exposant cette plaquette à un rayonnement ultraviolet en présence d'oxygène. On soumet ensuite ladite plaquette à une mesure capacité-tension, afin d'analyser les caractéristiques de la couche épitaxiale. Dans un second mode de réalisation, on dissout une couche d'oxyde sur la surface d'une plaquette épitaxiale du type p en mettant en contact un mélange gazeux, renfermant un gaz porteur inerte et des vapeurs d'acide fluorhydrique, avec la surface de ladite plaquette, avant de soumettre celle-ci à une mesure capacité-tension afin d'analyser les caractéristiques de la couche épitaxiale.
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