(EN) An exposure system for precisely and quickly transferring mask patterns to a substrate with a plurality of pattern layers formed, and a method of manufacturing micro devices on the exposure device. Wafer marks (WM1) (or alternative (WM1')) of gate electrode layers (Lg) and wafer marks (WM2) of second inner dielectric layers (Li2) are formed on street lines of a wafer (W). Mark bars WMnm (n=1, 2, m=1 to 4) of the wafer marks (WM1) and (WM2) are alternately arranged, and composite marks are formed. The composite marks are detected together in an alignment system, and position information on the wafer marks (WM1) and (WM2) is determined from the detected results. Then, the circuit patterns on a reticule are aligned with a shot region (SAn) on the wafer based on the determined position information.
(FR) L'invention concerne un système d'exposition permettant de transférer avec précision et rapidité des motifs de masques sur un substrat sur lequel sont formées plusieurs couches de motifs et un procédé de production de microdispositifs sur le dispositif d'exposition. Des marques de plaquettes (WM1) (ou en remplacement (WM1')) de couches d'électrodes de grille (Lg) et des marques de plaquettes (WM2) de secondes couches diélectriques intérieures (Li2) sont formées sur des lignes formant des rues d'une plaquette (W). Des barres de marques (WMnm) (n=1, 2, m=1 à 4) des marques de plaquettes (WM1) et (WM2) sont agencées de façon alternée et des marques composites sont formées. Les marques composites sont détectées dans un système d'alignement, et des informations de position sur les marques de plaquettes (WM1 et WM2) sont déterminées à partir des résultats détectés. Ensuite, les motifs des circuits sur un réticule sont alignés avec une région ciblée (SAn) sur la plaquette, sur la base des informations de position déterminées.