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1. (WO1999052137) PROCEDE D'ALIGNEMENT UTILISANT UN MASQUE DETOURE POUR UN TRANSISTOR BIPOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/052137    N° de la demande internationale :    PCT/GB1999/000857
Date de publication : 14.10.1999 Date de dépôt international : 01.04.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.11.1999    
CIB :
H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : ZETEX PLC [GB/GB]; Fields New Road Chadderton Oldham OL9 3PL (GB) (Tous Sauf US).
CASEY, David, Neil [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : CASEY, David, Neil; (GB)
Mandataire : ALLMAN, Peter, John; Marks & Clerk Sussex House 83-85 Mosley Street Manchester M2 3LG (GB).
HOLMES, Matthew, Peter; Marks & Clerk Sussex House 83-85 Mosley Street Manchester M2 3LG (GB)
Données relatives à la priorité :
9807115.2 03.04.1998 GB
Titre (EN) ALIGNMENT METHOD USING A BLOCK-OUT MASK FOR A BIPOLAR TRANSISTOR
(FR) PROCEDE D'ALIGNEMENT UTILISANT UN MASQUE DETOURE POUR UN TRANSISTOR BIPOLAIRE
Abrégé : front page image
(EN)A method for aligning edges of two structures at a surface of a substrate. A first masking layer is formed at the surface of the substrate, the first masking layer extending between first and second edges which may be concentric or parallel for example. The first masking layer may be annular with the first and second edges being formed by inner and outer edges of the annular masking layer. A second masking layer is formed at the surface of the substrate so as to overlap the second edge only of the first masking layer such that the substrate surface is exposed adjacent the first edge. A first process which does not penetrate either of the first or second masking layers is applied to the substrate to form a first structure and edge of which is aligned with the first edge of the first masking layer. The second masking layer is then removed, and a second process is applied to the substrate which does not penetrate the first masking layer to form a second structure, an edge of which is aligned with the second edge of the first masking layer. The first and second edges of the first masking layer may be defined by the inner and outer edges of an annular masking layer.
(FR)L'invention porte sur un procédé d'alignement des bords de deux structures au niveau d'une surface d'un substrat. Selon ce procédé, une première couche de masquage est formée au niveau de la surface du substrat et s'étend entre des premier et second bords pouvant être concentriques ou parallèles, par exemple. La première couche de masquage peut être annulaire, les premier et second bords étant formés par les bords interne et externe de celle-ci. Une second couche de masquage est formée au niveau de la surface du substrat de façon à chevaucher uniquement le second bord de la première couche de masquage de sorte que la surface du substrat soit adjacente au premier bord. Un premier processus, qui ne pénètre ni la première, ni la seconde couche de masquage, est appliqué sur le substrat de façon à former une première structure dont le bord est aligné sur le premier bord de la première couche de masquage. La seconde couche de masquage est ensuite retirée, et un second processus est appliqué sur le substrat sans pénétrer la première couche de masquage de façon à former une seconde structure dont le bord est aligné sur le second bord de la première couche de masquage. Les premier et second bords de la première couche de masquage peuvent être définis par les bords interne et externe d'une couche de masquage annulaire.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)