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1. (WO1999042995) SUPPORT D'INFORMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/042995    N° de la demande internationale :    PCT/JP1999/000768
Date de publication : 26.08.1999 Date de dépôt international : 22.02.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.07.1999    
CIB :
G11B 7/257 (2013.01)
Déposants : HITACHI MAXELL, LTD. [JP/JP]; 1-88, Ushitora 1-chome Ibaraki-shi, Osaka 567-8567 (JP) (Tous Sauf US).
TAMURA, Reiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WATANABE, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IKARI, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TERAO, Motoyasu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAUCHI, Yasushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIROTSUNE, Akemi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAMURA, Reiji; (JP).
WATANABE, Hitoshi; (JP).
IKARI, Yoshihiro; (JP).
TERAO, Motoyasu; (JP).
MIYAUCHI, Yasushi; (JP).
HIROTSUNE, Akemi; (JP)
Mandataire : ASAMURA, Kiyoshi; New Ohtemachi Building Room 331 2-1, Ohtemachi 2-Chome Chiyoda-Ku Tokyo 100-0004 (JP)
Données relatives à la priorité :
10/39976 23.02.1998 JP
Titre (EN) INFORMATION RECORDING MEDIUM
(FR) SUPPORT D'INFORMATION
Abrégé : front page image
(EN)An information recording medium superior in recording and reproduction characteristics and capable of use in hostile environments. The information recording medium comprises a substrate, on which are provided a recording layer that is responsive to a recording beam to undergo a change in the sequence of atoms, and a protective layer of insulator in contact with the recording layer. The opposite sides of the interface between the recording layer and the protective layer have different nitrogen contents. The rate of change in nitrogen content near the interface ranges from 1 atomic percent/nm to 50 atomic percent/nm in the direction perpendicular to the interface.
(FR)L'invention concerne un support d'information présentant des caractéristiques d'enregistrement et de reproduction supérieures et pouvant être utilisé dans des environnements hostiles. Ledit support d'information se compose d'un substrat sur lequel une couche d'enregistrement est placée, ladite couche réagissant à un faisceau d'enregistrement par le changement de séquence des atomes, et une couche de protection d'isolateur en contact avec la couche d'enregistrement. Les côtés opposés de l'interface entre la couche d'enregistrement et la couche de protection ont différentes teneurs en azote. Le taux de changement de teneur en azote à proximité de l'interface varie de 1 pour cent atomique/nm à 50 pour cent atomique/nm dans le sens perpendiculaire à l'interface.
États désignés : JP, KR, US.
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)