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1. (WO1999041632) CIRCUIT PERFECTIONNE DE GENERATEUR SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/041632    N° de la demande internationale :    PCT/US1999/001492
Date de publication : 19.08.1999 Date de dépôt international : 22.01.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.09.1999    
CIB :
G02B 27/00 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 31/00 (2006.01), H01L 31/05 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01), H01L 31/12 (2006.01), H03K 17/78 (2006.01)
Déposants : CP CLARE CORPORATION [US/US]; 78 Cherry Hill Drive Beverly, MA 01915 (US)
Inventeurs : POLCE, Nestore; (US)
Mandataire : KUSMER, Toby, H.; Lappin & Kusmer LLP 200 State Street Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
09/023,899 13.02.1998 US
Titre (EN) IMPROVED PHOTOVOLTAIC GENERATOR CIRCUIT
(FR) CIRCUIT PERFECTIONNE DE GENERATEUR SOLAIRE
Abrégé : front page image
(EN)A solid state photovoltaic generator circuit includes a source of activating radiation (14), an array of photodiodes (16) responsive to the radiation, a switching device (18) coupled to the photodiode array for responding to an electrical signal therefrom, and a high-impedance resistor which is made of substantially single-crystal silicon and is formed during the formation of the switching device. The fabrication of the circuit is thus significantly simplified and the resistor performance is stable over a wide range of operating temperatures.
(FR)Un circuit à semi-conducteur de générateur solaire se compose d'une source de rayonnement d'activation (14), d'un groupe de photodiodes (16) réagissant au rayonnement, d'un dispositif de commutation (18) couplé au groupe de photodiodes pour permettre la réponse au signal électrique produit par ledit rayonnement, et d'une résistance à grande impédance constituée sensiblement de silicium monocristallin et formée pendant la formation du dispositif de commutation. La fabrication du circuit est ainsi sensiblement simplifiée et la qualité de fonctionnement est stable sur une plage étendue de températures de fonctionnement.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)