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1. (WO1999034423) STRUCTURE DE PASSIVATION DE TRANCHE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1999/034423    N° de la demande internationale :    PCT/US1998/024358
Date de publication : 08.07.1999 Date de dépôt international : 16.11.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.07.1999    
CIB :
H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01), H01L 23/485 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
BOHR, Mark, T. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BOHR, Mark, T.; (US)
Mandataire : TAYLOR, Edwin, H.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 7th floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
09/002,178 31.12.1997 US
Titre (EN) WAFER PASSIVATION STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION
(FR) STRUCTURE DE PASSIVATION DE TRANCHE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A wafer passivation structure and its method of fabrication is described. According to one embodiment of the present invention, a metal layer having a bond pad (204) spaced by a gap (208) from a metal member (206) is formed on a substrate (200). A first dielectric layer (210), such as silicon dioxide, is then formed over the bond pad and the metal member and completely fills the gap. Next, a second dielectric layer (212), such as silicon nitride, having a dielectric constant greater than the first dielectric layer and being hermetic is formed over the first dielectric layer. A capping dielectric layer (214), such as a polyimide, can be formed on the second dielectric layer. An electrical contact (215), such as a controlled chip collapse contact (C-4) which includes a conductive barrier layer (216) and a bump (218) is formed through all the dielectric layers and makes electrical contact with bond pad (204).
(FR)On décrit une structure de passivation de tranche et son procédé de fabrication. Selon une forme de réalisation de l'invention,on forme sur un substrat (200) une couche métallique comportant un plot (204) de connexion qui est espacé d'un élément métallique (206) par un intervalle (208). On forme ensuite sur le plot de connexion et l'élément métallique une première couche diélectrique (210) dans un matériau tel que du dioxyde de silicium qui remplit complètement l'intervalle. On forme ensuite sur la première couche diélectrique une deuxième couche diélectrique (212) dans un matériau tel que du nitrure de silicium, dont la constante diélectrique est supérieure à celle de la première couche diélectrique et qui est hermétique. Une couche diélectrique (214) de capsulage réalisée dans un matériau tel qu'un polyimide peut être formée sur la deuxième couche diélectrique. Un contact électrique (215) tel qu'un contact (C-4) de puce à affaissement contrôlé comprenant une couche (216) barrière conductrice et une protubérance (218) est formé dans toutes les couches diélectriques et assure le contact électrique avec le plot (204) de connexion.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)