Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO1999003148 - PROCEDE DE MINIMISATION DE L'EFFET DE COIN PAR DENSIFICATION DE LA COUCHE ISOLANTE

Numéro de publication WO/1999/003148
Date de publication 21.01.1999
N° de la demande internationale PCT/FR1998/001475
Date du dépôt international 08.07.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 02.02.1999
CIB
H01L 21/762 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
762Régions diélectriques
CPC
H01L 21/76224
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
76224using trench refilling with dielectric materials
Déposants
  • FRANCE TELECOM [FR]/[FR] (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, JP, LU, MC, NL, PT, SE)
  • SCHIAVONE, Patrick [FR]/[FR] (UsOnly)
  • GAILLARD, Frédéric [FR]/[FR] (UsOnly)
Inventeurs
  • SCHIAVONE, Patrick
  • GAILLARD, Frédéric
Mandataires
  • BUREAU D.A. CASALONGA JOSSE
  • CASALONGA, Axel
Données relatives à la priorité
97/0864208.07.1997FR
Langue de publication français (FR)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR MINIMISING CORNER EFFECT BY DENSIFYING THE INSULATING LAYER
(FR) PROCEDE DE MINIMISATION DE L'EFFET DE COIN PAR DENSIFICATION DE LA COUCHE ISOLANTE
Abrégé
(EN)
The invention concerns a method for minimising 'corner' effect in shallow silicon oxide trenches, by densifying the silicon oxide layer after it has been deposited in the trenches. Said densification is preferably carried out by irradiating the layer under a luminous radiation with weak wavelength.
(FR)
La présente invention concerne un procédé permettant de minimiser l'effet de 'coin' dans les tranchées peu profondes d'oxyde de silicium, par densification de la couche d'oxyde de silicium après son dépôt dans les tranchées. Cette densification s'effectue préférentiellement par irradiation de ladite couche sous un rayonnement lumineux de faible longueur d'onde.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international