Traitement en cours

Veuillez attendre...

PATENTSCOPE sera indisponible durant quelques heures pour des raisons de maintenance le samedi 31.10.2020 à 7:00 AM CET
Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO1999002952 - APPAREIL PERMETTANT DE MESURER LA TEMPERATURE DE TRANCHES

Numéro de publication WO/1999/002952
Date de publication 21.01.1999
N° de la demande internationale PCT/IL1998/000323
Date du dépôt international 09.07.1998
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 25.01.1999
CIB
C23C 16/46 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
46caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
G01J 5/04 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
JMESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
5Pyrométrie des radiations
02Détails
04Boîtiers
G01K 11/32 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
KMESURE DES TEMPÉRATURES; MESURE DES QUANTITÉS DE CHALEUR; ÉLÉMENTS THERMOSENSIBLES NON PRÉVUS AILLEURS
11Mesure de la température basée sur les variations physiques ou chimiques, n'entrant pas dans les groupes G01K3/, G01K5/, G01K7/ ou G01K9/225
32utilisant des changements dans la transmission, la diffusion ou la fluorescence dans des fibres optiques
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
CPC
C23C 16/46
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
46characterised by the method used for heating the substrate
G01J 5/041
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRA-RED, VISIBLE OR ULTRA-VIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
5Radiation pyrometry
02Details
04Casings ; Mountings
041Mountings in enclosures or in a particular environment
G01K 11/3206
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
11Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00
32using changes in transmission, scattering or fluorescence in optical fibres
3206at discrete locations in the fibre, e.g. by means of Bragg gratings
H01L 21/67248
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
67248Temperature monitoring
Déposants
  • AG ASSOCIATES (ISRAEL) LTD. [IL]/[IL] (AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BY, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CU, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GA, GB, GE, GH, GM, GN, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, NE, NL, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SZ, TD, TG, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW)
  • DOITEL, Zahi [IL]/[IL] (UsOnly)
  • HERNIK, Arie [IL]/[IL] (UsOnly)
  • ATZMON, Ziv [IL]/[IL] (UsOnly)
Inventeurs
  • DOITEL, Zahi
  • HERNIK, Arie
  • ATZMON, Ziv
Mandataires
  • EITAN, PEARL, LATZER & COHEN-ZEDEK
Données relatives à la priorité
08/893,70611.07.1997US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) APPARATUS FOR MEASURING THE TEMPERATURE OF WAFERS
(FR) APPAREIL PERMETTANT DE MESURER LA TEMPERATURE DE TRANCHES
Abrégé
(EN)
Apparatus for measuring the temperature of workpieces, particularly semiconductor wafers (W), during their processing, including a head assembly (10) having a head plate (32) circumscribed by a raised rim (36) for receiving the workpiece (W) and for spacing it from the head plate (32) to define an enclosed volume between the head plate (32), rim (36), and workpiece (W); a thermally-conductive member, e.g. an optical fiber (30), passing through the head assembly (10) and having one end exposed to the enclosed volume such that it receives thermal radiation therefrom; and a thermal detector (80) aligned with the opposite end of the thermally-conductive member (30) for detecting the thermal radiation received by it from the enclosed volume and for converting same to an electrical signal representing a measurement of the temperature of the enclosed volume.
(FR)
Cet appareil permettant de mesurer la température de pièces à travailler, notamment de tranches de semi-conducteur (W), durant leur traitement, comporte une partie tête (10) comprenant une plaque (32) limitée par une bordure relevée (36) destinée à recevoir la pièce à travailler (W) et à la séparer de la plaque (32) afin de délimiter un volume clos entre la plaque (32), la bordure (36) et la pièce (W). Ce volume clos, qui abrite une extrémité d'un élément conducteur thermique, une fibre optique par exemple, (30) traversant la tête (10), en reçoit le rayonnement thermique. L'appareil comporte également un détecteur thermique (80), placé dans l'alignement de l'autre extrémité de l'élément conducteur thermique (30), détectant le rayonnement thermique qu'il reçoit venant du volume clos et le transformant en signal électrique indicatif de la température mesurée dudit volume clos.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international