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1. WO1999001586 - DISPOSITIF PERMETTANT DE TRANSFERER DES STRUCTURES

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[ DE ]

Patentansprüche

1. Anordnung zur Übertragung von Strukturen auf eine zu strukturiende Schicht,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß zumindest eine von einer Anordnungsgrundfläche (9) vorstehende strahlungsleitende Struktur (12) vorgesehen ist, die eine Strahlung zu einer von der Anordnungsgrundfläche (9) abgewandten Austrittsapertur (8) führt und die in ihrer Form der zu über-tragenden Struktur angepaßt ist.

2. Anordnung gemäß Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die strahlungsleitende Struktur (12) ein Strahlungsmedium (5) umfaßt, welches bevorzugt Siliciumni-trid, Siliciumcarbid oder Siliciumdioxid enthält.

3. Anordnung gemäß Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die strahlungsleitende Struktur (12) eine strahlungsundurchlässige, bevorzugt plasmonaktive Schicht (6) umfaßt.

4. Anordnung gemäß Anspruch 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die strahlungsundurchlässige Schicht (6) ein Metall, insbesondere Aluminium, Titan, Platin oder Silber enthält.

5. Anordnung gemäß Anspruch 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Metall aufgedampft oder aufgesputtert ist.

6. Anordnung gemäß einem der Ansprüche 3 bis 5, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß auf der strahlungsundurchlässigen Schicht (6) eine Schicht aus einem Oxid, Carbid oder Nitrid aufgebracht ist.

7. Anordnung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
daß die strahlungsleitende Struktur (12) als Hohlraum ausgebildet ist.

8. Anordnung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß ein Basiselement (3) vorgesehen ist, das bevorzugt ein strahlungsdurchlässiges Material umfaß .

9. Anordnung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , die Strukturbreite (7) der Austrittsapertur (8) in vorgegebenen Bereichen der Anordnung geringer als 250 nm, insbesondere geringer als 100 nm ist.

10. Anordnung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die strahlungsleitende Struktur (12) an der Austrittsapertur (8) in vorgegebenen Bereichen einen Kantenkrümmungsradius von nicht mehr als 50 nm besitzt.

11. Anordnung gemäß einem der Ansprüche 3 bis 10, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß im Bereich der Aus-trittsapertur (8) das Strahlungsmedium (5) gegenüber der strahlungsundurchlässigem Schicht (6) so weit vorsteht, daß die Höhe des nicht von der strahlungsundurchlässigen Schicht (6) bedeckten Strahlungsmediums (5) im wesentlichen dem gewünschten Belichtungsabstand entspricht.

12. Verfahren zur Herstellung einer Anordnung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11 mit den Schritten:

- eine Schicht (2) aus strahlungsdurchlässigem Material wird bereitgestellt, - eine Maske (4) wird auf die Schicht (2) aus strahlungsdurchlässigem Material aufgebracht,

- unter Verwendung der Maske (4) wird die Schicht (2) aus strahlungsdurchlässigem Material strukturiert, um eine strah-lungsleitende Struktur (5, 12) mit einer von einer Anordnungsgrundfläche (9) abgewandten Austrittapertur (8) zu erzeugen, und

die Maske (4) wird entfernt.

13. Verfahren gemäß Anspruch 12, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß auf die strukturierte Schicht (2) aus strahlungsdurchlässigem Material eine eine Schicht (6) aus strahlungsundurchlässigem Material so aufgebracht wird, daß eine von der Anordnungsgrundfläche (9) abgewandten Austrittapertur (8) erhalten bleibt.

14. Verfahren gemäß Anspruch 12 oder 13, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Schicht (2) aus strahlungsdurchlässigem Material durch eine isotrope Ätzung strukturiert wird, so daß die Maske (4) unterätzt wird und das erzeugte Strahlungsmedium (5) an der Austrittsapertur (8) eine Strukturbreite (7) von weniger als 250 nm, insbesondere von weniger als 100 nm aufweist.

15. Verfahren gemäß Anspruch 14, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß das Ätzen der Schicht (2) aus strahlungsdurchlässigem Material durch reaktives Ionenätzen er-folgt.

16. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 15 bis 18,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß auf die Schicht (6) aus strahlungsundurchlässigem Material eine Schicht aus einem Oxid, Carbid oder Nitrid aufgebracht wird.

17. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 16,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
daß die Austrittsapertur (8) durch chemisch-mechanisches Polieren erzeugt wird.

18. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 13 bis 17, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Höhe der über das strahlungsundurchlässige Material (6) herausragenden Bereiche der strukturierten Schicht (2) durch Rückätzen der strukturierten Schicht (2) und/oder durch Rückätzen oder Rücksput-tern des strahlungsundurchlässige Materials (6) eingestellt wird.

19. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 18,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t ,
daß die Schicht (2) aus strahlungsdurchlässigem Material auf einem Basiselement (3) bereitgestellt wird.

20. Verwendung der Anordnung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11 zur Erzeugung von strukturierten Schichten in dem Bereich der Halbleitertechnologie.

21. Verwendung der Anordnung gemäß Anspruch 20 zur Belichtung im optischen Nahfeld unter Einhaltung eines definierten Ab-standes zwischen der Austrittsapertur (8) und der Oberfläche der zu strukturienden Schicht.

22. Verwendung der Anordnung gemäß Anspruch 20 oder 21 zur mehrfachen Belichtung der zu strukturienden Schicht, wobei die Anordnung zwischen den Belichtungen um eine vorgegebene Distanz versetzt wird.