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1. WO1999000641 - PROCEDE ET APPAREIL AMELIORES POUR MESURER LA CONCENTRATION D'IONS IMPLANTES DANS DES MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS

Numéro de publication WO/1999/000641
Date de publication 07.01.1999
N° de la demande internationale PCT/US1998/013473
Date du dépôt international 26.06.1998
CIB
G01N 21/17 2006.1
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
17Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné
CPC
G01N 21/17
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
G01N 21/1717
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
1717with a modulation of one or more physical properties of the sample during the optical investigation, e.g. electro-reflectance
Déposants
  • KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.
Inventeurs
  • BANET, Matthew, J.
  • ROGERS, John, A.
  • FUCHS, Martin
Mandataires
  • PRAHL, Eric, L.
Données relatives à la priorité
08/885,78630.06.1997US
08/926,85010.09.1997US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) IMPROVED METHOD AND APPARATUS FOR MEASURING THE CONCENTRATION OF IONS IMPLANTED IN SEMICONDUCTOR MATERIALS
(FR) PROCEDE ET APPAREIL AMELIORES POUR MESURER LA CONCENTRATION D'IONS IMPLANTES DANS DES MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé
(EN) A method and apparatus that determines a concentration of ions implanted in a material is described. The method includes the steps of: 1) generating at least two excitation laser sub-pulses and a probe pulse from a single pulse emitted from a laser; 2) irradiating a region of the material with a grating pattern formed by overlapping at least two excitation laser sub-pulses to initiate a time-dependent response in the region; 3) diffracting a probe laser pulse off the region to generate at least one time-dependent signal beam; 4) detecting at least one time-dependent signal beam to generate a signal waveform; and 5) processing the signal waveform to determine the concentration of ions implanted in the material.
(FR) Cette invention se rapporte à un procédé et à un appareil, qui servent à déterminer la concentration d'ions implantés dans un matériau et qui à cet effet consistent: (1) à produire au moins deux sous-impulsions laser d'excitation et une impulsion de sonde à partir d'une seule impulsion émise par un laser; (2) à exposer une région dudit matériau à un rayonnement ayant un réseau de diffraction formé par chevauchement d'au moins deux sous-impulsions laser d'excitation, afin d'initialiser dans la région en question une réponse dépendant du temps; (3) à provoquer la diffraction d'une impulsion laser de sonde dans la direction opposée à la région en question, de façon à produire au moins un faisceau de signal dépendant du temps; (4) à détecter au moins un faisceau de signal dépendant du temps, afin de produire une forme d'onde de signal; et (5) à traiter la forme d'onde de signal pour déterminer la concentration d'ions implantés dans le matériau en question.
Documents de brevet associés
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