WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO1998003991) PROCEDE POUR PRODUIRE UNE ZONE ENFOUIE ISOLEE LATERALEMENT, DE TRES HAUTE CONDUCTIVITE DANS UN SUPPORT A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/003991    N° de la demande internationale :    PCT/DE1997/001542
Date de publication : 29.01.1998 Date de dépôt international : 22.07.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.02.1998    
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacher Platz 2, D-80333 München (DE) (Tous Sauf US).
ELBEL, Norbert [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
GABRIC, Zvonimir [HR/DE]; (DE) (US Seulement).
NEUREITHER, Bernhard [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : ELBEL, Norbert; (DE).
GABRIC, Zvonimir; (DE).
NEUREITHER, Bernhard; (DE)
Données relatives à la priorité :
196 29 766.4 23.07.1996 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VERGRABENEN, LATERAL ISOLIERTEN ZONE ERHÖHTER LEITFÄHIGKEIT IN EINEM HALBLEITERSUBSTRAT
(EN) METHOD OF PRODUCING A BURIED, LATERALLY INSULATED ZONE OF VERY HIGH CONDUCTIVITY IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCEDE POUR PRODUIRE UNE ZONE ENFOUIE ISOLEE LATERALEMENT, DE TRES HAUTE CONDUCTIVITE DANS UN SUPPORT A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(DE)Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen, lateral isolierten Zone erhöhter Leitfähigkeit in einem Halbleitersubstrat bereitgestellt, das die folgenden Schritte umfaßt: a) ein Substrat mit einer vergrabenen Zone erhöhter Leitfähigkeit wird bereitgestellt; b) auf das Substrat wird eine Referenzschicht aufgebracht; c) die Referenzschicht wird strukturiert; d) in dem Substrat wird ein Graben erzeugt; und e) auf die so erzeugte Struktur wird das zum Auffüllen des Grabens verwendete Isolationsmaterial aufgebracht, wobei die Referenzschicht so gewählt ist, daß die Wachstumsrate des zum Auffüllen des Grabens verwendeten Isolationsmaterials auf der Referenzschicht mindestens um den Faktor 2 kleiner ist als die Wachstumsrate des zum Auffüllen des Grabens verwendeten Isolationsmaterials auf der zu bedeckenden Oberfläche des Grabens. Diese zu bedeckende Oberfläche des Grabens wird üblicherweise aus Substratmaterial bestehen. Es können aber auch Zwischenschichten vorgesehen sein.
(EN)The invention concerns a method of producing a buried, laterally insulated zone of very high conductivity in a semiconductor substrate, the method comprising the following steps: a) a substrate with a buried zone of high conductivity is prepared; b) a reference layer is applied to the substrate; c) the reference layer is structured; d) a trench is produced in the substrate; and e) the insulation material used to fill the trench is applied to the resultant structure. The reference layer is selected such that the growth rate of the trench-filling insulation material on the reference material is lower by a factor of at least two than the growth rate of the trench-filling insulating material on the trench surface which is to be covered. This trench surface to be covered generally consists of substrate material but intermediate layers can also be provided.
(FR)L'invention concerne un procédé pour produire une zone enfouie isolée latéralement de très haute conductivité dans un substrat à semi-conducteur, qui comprend les étapes suivantes: a) préparation d'un substrat avec une zone enfouie de très haute conductivité; b) application d'une couche de référence sur le substrat; c) structuration de la couche de référence; d) réalisation d'un fossé dans le substrat; et e) application sur la structure ainsi produite d'un matériau isolant utilisé pour remplir le fossé. La couche de référence est sélectionnée de manière que sur la couche de référence, le taux de croissance du matériau isolant utilisé pour remplir le fossé soit inférieur d'au moins un facteur 2, sur la surface du fossé à recouvrir, au taux de croissance du matériau isolant utilisé pour remplir le fossé. Cette surface du fossé à recouvrir se compose de manière générale du matériau constituant le substrat. Des couches intermédiaires peuvent également être prévues.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)