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1. (WO1998002944) LASER A CAVITE VERTICALE ET A EMISSION PAR LA SURFACE PRESENTANT UNE MEILLEURE GENERATION DE SECONDE HARMONIQUE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/1998/002944    N° de la demande internationale :    PCT/US1997/009476
Date de publication : 22.01.1998 Date de dépôt international : 02.06.1997
CIB :
H01S 3/109 (2006.01), H01S 5/06 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01)
Déposants : W.L. GORE & ASSOCIATES, INC. [US/US]; 551 Paper Mill Road, P.O. Box 9206, Newark, DE 19714 (US)
Inventeurs : PETERS, Frank, H.; (US)
Mandataire : CAMPBELL, John, S.; W.L. Gore & Associates, Inc., 551 Paper Mill Road, P.O. Box 9206, Newark, DE 19714-9206 (US)
Données relatives à la priorité :
08/687,079 17.07.1996 US
Titre (EN) A VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER WITH ENHANCED SECOND HARMONIC GENERATION AND METHOD OF MAKING SAME
(FR) LASER A CAVITE VERTICALE ET A EMISSION PAR LA SURFACE PRESENTANT UNE MEILLEURE GENERATION DE SECONDE HARMONIQUE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abrégé : front page image
(EN)A vertical cavity surface emitting laser is constructed on a semiconductor substrate (34) and includes a bottom mirror stack (36) disposed on the substrate, a gain region (38) with an active material within the bottom mirror stack capable of emitting electromagnetic radiation at a fundamental wavelength, a non-linear element (40) disposed above the bottom mirror stack capable of emitting electromagnetic radiation at a harmonic (54) of the fundamental wavelength in response to the electromagnetic radiation at the fundamental wavelength, and a top mirror stack (42) disposed above the non-linear element. Electrodes (46, 48) are applied to the bottom mirror stack and the substrate for electrically pumping current into the gain region without passing through the non-linear element. A conducting layer (50) can be disposed in the bottom mirror stack and an annular current confinement region (52) can be formed in the bottom mirror stack around the gain region to help guide current into the active material. The gain region within the bottom mirror stack and the non-linear element are separated by a preselected distance. The top mirror stack is organized to be reflective of electro-magnetic radiation at the fundamental wavelength and partially transmissive of electromagnetic radiation at the harmonic (54) of the fundamental wavelength.
(FR)Un laser à cavité verticale et à émission par la surface est construit sur un substrat en semi-conducteur (34) et comprend une pile de miroir inférieure (36) disposée sur le substrat, une région de gain (38) présentant un matériau actif à l'intérieur de la pile de miroir inférieure, capable d'émettre un rayonnement électromagnétique à une longueur d'onde fondamentale, un élément non linéaire (40) disposé au-dessus de la pile de miroir inférieure capable d'émettre un rayonnement électromagnétique à une harmonique (54) de la longueur d'onde fondamentale, en réponse au rayonnement électromagnétique à la longueur d'onde fondamentale, et une pile de miroir supérieure (42) disposée au-dessus de l'élément non linéaire. Des électrodes (46, 48) sont appliquées sur la pile de miroir inférieure et le substrat afin de pomper électriquement du courant dans la région de gain sans passer par l'élément non linéaire. Une couche conductrice (50) peut être disposée dans la pile de miroir inférieure et une région de confinement de courant annulaire (52) peut être formée dans la pile de miroir inférieure, autour de la région de gain, afin d'aider à guider le courant à passer dans la matière active. La région de gain se trouvant à l'intérieur de la pile de miroir inférieure et l'élément non linéaire sont séparés d'une distance présélectionnée. La pile de miroir supérieure est organisée de manière à réfléchir un rayonnement électromagnétique à la longueur d'onde fondamentale et à transmettre partiellement un rayonnement électromagnétique à l'harmonique (54) de la longueur d'onde fondamentale.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, HU, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)