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1. WO1997044812 - PROCEDE ET APPAREIL DE REGULATION D'IMPEDANCES REACTIVES D'UN RESEAU D'ADAPTATION CONNECTE ENTRE UNE SOURCE RF ET UN PROCESSEUR DE PLASMA RF

Numéro de publication WO/1997/044812
Date de publication 27.11.1997
N° de la demande internationale PCT/US1997/008610
Date du dépôt international 23.05.1997
CIB
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H03H 7/40 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
7Réseaux à plusieurs accès comportant comme composants uniquement des éléments électriques passifs
38Réseaux d'adaptation d'impédance
40Adaptation automatique de l'impédance de charge à l'impédance de la source
CPC
H01J 37/32082
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
H01J 37/32174
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32082Radio frequency generated discharge
32174Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
H03H 7/40
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
7Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
38Impedance-matching networks
40Automatic matching of load impedance to source impedance
Déposants
  • LAM RESEARCH CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • RICHARDSON, Brett
  • NGO, Tuan
  • BARNES, Michael, S.
Mandataires
  • LOWE, Allan, M.
Données relatives à la priorité
08/652,03723.05.1996US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF AND APPARATUS FOR CONTROLLING REACTIVE IMPEDANCES OF A MATCHING NETWORK CONNECTED BETWEEN AN RF SOURCE AND AN RF PLASMA PROCESSOR
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE REGULATION D'IMPEDANCES REACTIVES D'UN RESEAU D'ADAPTATION CONNECTE ENTRE UNE SOURCE RF ET UN PROCESSEUR DE PLASMA RF
Abrégé
(EN)
An r.f. field is supplied by a reactive impedance element to a plasma in a vacuum plasma processing chamber. The element and source are connected via a matching network including first and second variable reactances that control loading of the source and tuning a load, including the reactive impedance element and the plasma, to the source. The values of the first and second variable reactances are changed to determine the amount the first variable reactance is to change for each unit change of the second variable reactance to attain the best match between the impedances seen looking into and out of output terminals of the r.f. source. Then the values of the first and second variable reactances are varied simultaneously based on the determination until the best impedance match between the impedances seen looking into and out of output terminals of the r.f. source is attained.
(FR)
Un champ r.f. est envoyé par un élément d'impédance réactive à un plasma se trouvant à l'intérieur d'une chambre de traitement de plasma sous vide. L'élément et la source sont connectés par l'intermédiaire d'un réseau d'adaptation comprenant des première et seconde réactances variables qui commandent le chargement de la source et la syntonisation d'une charge, y compris l'élément d'impédance réactive et le plasma, à la source. Les valeurs des première et seconde réactances variables sont modifiées pour déterminer de quelle quantité doit changer la première réactance variable pour chaque unité de changement de la seconde réactance variable afin d'atteindre la meilleure adaptation entre les impédances entrant et sortant des bornes de sortie de la source r.f.. Ensuite, les valeurs des première et seconde réactances variables sont modifiées simultanément d'après la détermination jusqu'à ce que la meilleure adaptation d'impédance entre les impédances dans les sens d'arrivée aux bornes de sortie et de sortie des bornes de sortie de la source r.f. soit atteinte.
Également publié en tant que
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