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1. WO1997041614 - COMMUTATEUR RF HAUTE-PUISSANCE ACTIF

Numéro de publication WO/1997/041614
Date de publication 06.11.1997
N° de la demande internationale PCT/US1997/008341
Date du dépôt international 01.05.1997
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 19.11.1997
CIB
H01P 1/15 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
PGUIDES D'ONDES; RÉSONATEURS, LIGNES OU AUTRES DISPOSITIFS DU TYPE GUIDE D'ONDES
1Dispositifs auxiliaires
10Dispositifs commutateurs ou interrupteurs
15utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
CPC
H01P 1/15
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
1Auxiliary devices
10for switching or interrupting
15by semiconductor devices
Déposants
  • THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY [US]/[US]
Inventeurs
  • TANTAWI, Sami, G.
  • RUTH, Ronald, D.
  • ZOLOTOREV, Max
Mandataires
  • McFARLANE, Thomas, J.
Données relatives à la priorité
60/016,62401.05.1996US
60/016,62501.05.1996US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ACTIVE HIGH-POWER RF SWITCH
(FR) COMMUTATEUR RF HAUTE-PUISSANCE ACTIF
Abrégé
(EN)
A high-power RF switching device (30) employs a semiconductor wafer (38) positioned in the third port of a three-port RF device (30). A controllable source of directed energy (36), such as a suitable laser or electron beam, is aimed at the semiconductor material (38). When the source (36) is turned on, the energy incident on the wafer (38) induces an electron-hole plasma layer on the wafer (38), changing the wafer's dielectric constant, turning the third port into a termination for incident RF signals, and causing all incident RF signals to be reflected from the surface of the wafer (38). By making the RF coupling to the third port as small as necessary, one can reduce the peak electric field on the unexcited silicon surface for any level of input power from port 1, thereby reducing risk of damaging the wafer (38) by RF with high peak power. The switch is useful to the construction of an improved pulse compression system, for example, to boost the peak power of microwave tubes driving linear accelerators.
(FR)
Dispositif de commutation RF haute-puissance (30) utilisant une plaquette à semi-conducteurs (38) placée dans le troisième point de connexion d'un dispositif RF à trois points de connexion (30). Une source d'énergie dirigée (36) pouvant être réglée, comme par exemple un faisceau laser ou un faisceau d'électrons adéquats, est dirigée sur le matériau semi-conducteur (38). Lorsque la source d'énergie (36) est activée, l'énergie incidente arrivant sur la plaquette (38) produit une couche de plasma avec des lacunes d'électrons sur la plaquette (38), change la constante diélectrique de la plaquette, le troisième point de connexion devenant ainsi une terminaison des signaux RF incidents, ces derniers étant tous réfléchis par la surface de la plaquette (38). En réduisant la taille du couplage RF au troisième point de connexion autant que nécessaire, on peut abaisser le champ électrique maximal sur la surface de silicium non excitée pour n'importe quel niveau de puissance d'entrée provenant du point de connexion 1, et réduire ainsi le risque d'endommager la plaquette (38) par une puissance RF maximale élevée. Ce commutateur est utile dans la structure d'un système amélioré de compression d'impulsions, par exemple pour augmenter la puissance maximale des tubes à micro-ondes actionnant les accélérateurs linéaires.
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